[發明專利]一種提高TiNi合金支架在X－光下顯影性的方法

無效

• 申請號: 200810064031.8
• 申請日: 2008-02-25
• 公開（公告）號: CN101230445A
• 公開（公告）日: 2008-07-30
• 發明（設計）人: 隋解和;成艷;高智勇;蔡偉
• 申請（專利權）人: 哈爾濱工業大學
• 主分類號: C23C14/02
• 分類號: C23C14/02;C23C14/34;C23C14/16;A61F2/82;A61L31/08
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標事務所
• 代理人: 金永煥

1.一種提高TiNi合金支架在X-光下顯影性的方法，其特征在于提高TiNi合金支架在X-光下顯影性的方法按以下步驟實現：一、將TiNi合金支架化學拋光，再放入丙酮中超聲波清洗，然后吹干；二、吹干后的TiNi合金支架放入多弧離子鍍爐中，抽真空至10^-4～10^-5Pa，再通入氬氣至0.2～0.3Pa，在TiNi合金支架加上800～1100V的負偏壓，進行濺射清洗，持續時間為20～40min；三、濺射清洗后，在弧流為70～80A、負偏壓為100～500V的條件下用鉭離子轟擊TiNi合金支架并沉積，轟擊時間為30～160min，然后冷卻至室溫取出，得鍍鉭層的TiNi合金支架。

2.根據權利要求1所述的一種提高TiNi合金支架在X-光下顯影性的方法，其特征在于步驟二中所用多弧離子鍍爐為HHB-6.6多弧離子鍍爐。

3.根據權利要求1所述的一種提高TiNi合金支架在X-光下顯影性的方法，其特征在于步驟二中抽真空至10^-5Pa，再通入氬氣至0.25Pa。

4.根據權利要求1所述的一種提高TiNi合金支架在X-光下顯影性的方法，其特征在于步驟二中TiNi合金支架加上1000V的負偏壓，進行濺射清洗，持續時間為30min。

5.根據權利要求1所述的一種提高TiNi合金支架在X-光下顯影性的方法，其特征在于步驟三中弧流為75A、負偏壓為300V。

6.根據權利要求1所述的一種提高TiNi合金支架在X-光下顯影性的方法，其特征在于步驟三中轟擊時間為100min。