[發明專利]一種納米線底電極與電介質復合薄膜電容器及其制備方法

有效

• 申請號: 200810059995.3
• 申請日: 2008-03-07
• 公開（公告）號: CN101252042A
• 公開（公告）日: 2008-08-27
• 發明（設計）人: 杜丕一;任招娣;韓高榮;宋晨路;翁文劍;徐剛;沈鴿;趙高凌;張溪文;汪建勛
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: H01G4/33
• 分類號: H01G4/33;H01G4/005;H01G4/12;H01G13/00
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司
• 代理人: 韓介梅

1.一種納米線底電極與電介質復合薄膜電容器，其特征在于：在基板(1)上自下而上依次沉積有硅化鈦導電薄膜層(2)，硅化鈦納米線底電極層(3)和電介質薄膜層(4)。

2、根據權利要求1所述的納米線底電極與電介質復合薄膜電容器，其特征在于：基板(1)是玻璃基板、單晶硅基板或多晶硅基板；

3、根據權利要求1所述的納米線底電極與電介質復合薄膜電容器，其特征在于：硅化鈦導電薄膜層(2)是Ti₅Si₃晶相或TiSi₂晶相，或由Ti₅Si₃和TiSi₂晶相組成。

4、根據權利要求1所述的納米線底電極與電介質復合薄膜電容器，其特征在于：所說的硅化鈦納米線底電極層(3)是形態為納米線、納米釘、納米棒、納米線簇或火箭狀納米線的TiSi晶相或TiSi₂晶相。

5、根據權利要求1所述的納米線底電極與電介質復合薄膜電容器，其特征在于：所說的電介質薄膜層(4)為Ba_xSr_1-xTiO₃電介質薄膜，x＝0.3～1。

6、根據權利要求1所述的納米線底電極與電介質復合薄膜電容器的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

1)將粉末醋酸鋇和碳酸鍶溶解于醋酸中，Sr與Ba的摩爾比為0～2.33，攪拌至全部溶解，得到溶液甲；

2)將鈦酸四丁脂溶解于乙二醇甲醚中，得到溶液乙；

3)將甲、乙兩種溶液按摩爾比為1∶1混合，配制濃度為0.3～0.6mol/l的透明前驅體溶膠Ba_xSr_1-xTiO₃，x＝0.3～1；

4)清洗基板，以化學氣相沉積法在基板上依次沉積硅化鈦導電薄膜層和硅化鈦納米線底電極層；

5)用提拉法在硅化鈦納米線底電極層上涂覆Ba_xSr_1-xTiO₃前驅體溶膠；

6)在580～640℃熱處理30～60min，得到納米線底電極與電介質復合薄膜電容器。