[發(fā)明專利]具有H型柵的射頻SOI LDMOS器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810057936.2
• 申請(qǐng)日: 2008-02-21
• 公開（公告）號(hào): CN101515588A
• 公開（公告）日: 2009-08-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉夢(mèng)新;畢津順;范雪梅;趙超榮;韓鄭生;劉剛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L23/522;H01L29/786;H01L21/84;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/265
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 周國城

1.一種基于絕緣體上硅的射頻LDMOS器件，其特征在于，該射頻LDMOS器件由從上至下依次為頂層硅(3)、埋氧層(2)和底層硅(1)的絕緣體上硅SOI作為基本架構(gòu)，該射頻LDMOS器件包括：

設(shè)置于埋氧層(2)上表面的P^-區(qū)(20)，在緊鄰P^-區(qū)(20)兩側(cè)分別設(shè)置的第一N^-區(qū)(23)和第二N^-區(qū)(24)；

設(shè)置于頂層硅(3)上表面的第一H型柵氧化層(7)和第二H型柵氧化層(8)；

設(shè)置于第一H型柵氧化層(7)上表面的第一H型多晶硅柵層(9)，設(shè)置于第一H型多晶硅柵層(9)上表面的第一H型柵多晶硅化物層(11)，以及設(shè)置于第一H型柵多晶硅化物層(11)上表面的第一柵電極(17)；設(shè)置于第一H型多晶硅柵層(9)一側(cè)的第二H型氮化硅側(cè)墻(14)，以及設(shè)置于第一H型多晶硅柵層(9)另一側(cè)的第一H型氮化硅側(cè)墻(13)；

設(shè)置于第二H型柵氧化層(8)上表面的第二H型多晶硅柵層(10)，設(shè)置于第二H型多晶硅柵層(10)上表面的第二H型柵多晶硅化物層(12)，以及設(shè)置于第二H型柵多晶硅化物層(12)上表面的第二柵電極(18)；設(shè)置于第二H型多晶硅柵層(10)一側(cè)的第三H型氮化硅側(cè)墻(15)，以及設(shè)置于第二H型多晶硅柵層(10)另一側(cè)的第四H型氮化硅側(cè)墻(16)；

設(shè)置于第一H型柵氧化層(7)一側(cè)的第一N^-漂移區(qū)(25)，在緊鄰第一N^-漂移區(qū)(25)的旁側(cè)設(shè)置的第一漏區(qū)(27)，設(shè)置于第一漏區(qū)(27)上表面的第一漏區(qū)硅化物層(29)，設(shè)置于第一漏區(qū)硅化物層(29)上表面的第一漏電極(30)；

設(shè)置于第二H型柵氧化層(8)一側(cè)的第二N^-漂移區(qū)(26)，在緊鄰第二N^-漂移區(qū)(26)的旁側(cè)設(shè)置的第二漏區(qū)(28)，設(shè)置于第二漏區(qū)(28)上表面的第二漏區(qū)硅化物層(31)，設(shè)置于第二漏區(qū)硅化物層(31)上表面的第二漏電極(32)；

設(shè)置于第一H型柵氧化層(7)另一側(cè)的第一源區(qū)(35)，設(shè)置于第二H型柵氧化層(8)另一側(cè)的第二源區(qū)(19)，在緊鄰第一源區(qū)(35)和第二源區(qū)(19)的前方和后方設(shè)置的與P^-區(qū)(20)同型的重?fù)诫s體引出區(qū)(4)，在體引出區(qū)(4)和第一源區(qū)(35)以及第二源區(qū)(19)上表面設(shè)置的體區(qū)源區(qū)硅化物層(21)，設(shè)置于體區(qū)源區(qū)硅化物層(21)上表面的源電極(22)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于絕緣體上硅的射頻LDMOS器件，其特征在于，所述第一H型柵氧化層(7)和第二H型柵氧化層(8)分別覆蓋頂層硅(3)上表面等于設(shè)計(jì)規(guī)則中溝道尺寸的區(qū)域。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于絕緣體上硅的射頻LDMOS器件，其特征在于，所述第一漏區(qū)(27)和第一N^-漂移區(qū)(25)設(shè)置于第一N^-區(qū)(23)內(nèi)，所述第二漏區(qū)(28)和第二N^-漂移區(qū)(26)設(shè)置于第二N^-區(qū)(24)內(nèi)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于絕緣體上硅的射頻LDMOS器件，其特征在于，所述第一源區(qū)(35)和第二源區(qū)(19)以及體引出區(qū)(4)設(shè)置于P^-區(qū)(20)內(nèi)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于絕緣體上硅的射頻LDMOS器件，其特征在于，所述第一N^-區(qū)(23)與P^-區(qū)(20)的交界處位于第一H型柵氧化層(7)的下方，所述第二N^-區(qū)(24)與P^-區(qū)(20)的交界處位于第二H型柵氧化層(8)的下方。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基于絕緣體上硅的射頻LDMOS器件，其特征在于，所述第一N^-區(qū)(23)和第二N^-區(qū)(24)與P^-區(qū)(20)交界，該第一N^-區(qū)(23)與P^-區(qū)(20)的交界之處距離第一H型柵氧化層(7)靠近第一N^-漂移區(qū)(25)的一側(cè)0至200nm，所述第二N^-區(qū)(24)與P^-區(qū)(20)的交界之處距離第二H型柵氧化層(8)靠近第二N^-漂移區(qū)(26)的一側(cè)0至200nm。