[發明專利]一種實現高精度埋阻的方法及裝置有效
| 申請號: | 200810057562.4 | 申請日: | 2008-02-03 |
| 公開(公告)號: | CN101227800A | 公開(公告)日: | 2008-07-23 |
| 發明(設計)人: | 王洪利 | 申請(專利權)人: | 深圳華為通信技術有限公司 |
| 主分類號: | H05K3/30 | 分類號: | H05K3/30;H05K3/46 |
| 代理公司: | 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 | 代理人: | 何文彬 |
| 地址: | 518129廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 實現 高精度 方法 裝置 | ||
1.一種實現高精度埋阻的方法,其特征在于,所述方法包括:
蝕刻預設埋阻圖形連接端子和非埋阻區域互連線路以外的導體層,得到埋阻長度方向的成形尺寸和非埋阻區域互連線路;
測量所述埋阻長度方向的成形尺寸;
根據所述測量的埋阻長度方向的成形尺寸計算修正的埋阻寬度方向的成形尺寸;
根據所述修正的埋阻寬度方向的成形尺寸,蝕刻電阻層,得到成形的埋阻。
2.如權利要求1所述的實現高精度埋阻的方法,其特征在于,所述蝕刻預設埋阻圖形連接端子和非埋阻區域互連線路以外的導體層,得到埋阻長度方向的成形尺寸和非埋阻區域互連線路的步驟具體包括:
在導體層涂上光致抗蝕劑;
利用曝光和顯影技術在埋阻區域得到所述預設埋阻圖形連接端子對應的光致抗蝕劑掩膜,在非埋阻區域得到所述互連線路對應的光致抗蝕劑掩膜;
蝕刻導體層;
清洗所述光致抗蝕劑掩膜,得到所述埋阻長度方向的成形尺寸和所述非埋阻區域互連線路。
3.如權利要求1所述的實現高精度埋阻的方法,其特征在于,所述根據所述測量的埋阻長度方向的成形尺寸計算修正的埋阻寬度方向的成形尺寸的步驟具體為:
所述修正的埋阻寬度方向的成形尺寸等于所述測量的埋阻長度方向的成形尺寸乘以方塊電阻再除以埋阻的阻值。
4.如權利要求1所述的實現高精度埋阻的方法,其特征在于,所述根據所述修正的埋阻寬度方向的成形尺寸,蝕刻電阻層,得到成形的埋阻的步驟具體包括:
將修正的埋阻寬度掩膜覆蓋在埋阻區域,蝕刻所述修正的埋阻寬度掩膜以外的電阻層,得到所述成形的埋阻。
5.一種實現高精度埋阻的裝置,其特征在于,所述裝置包括:
埋阻長度方向成形尺寸獲取模塊,用于蝕刻預設埋阻圖形連接端子和非埋阻區域互連線路以外的導體層,得到埋阻長度方向的成形尺寸和非埋阻區域互連線路;
測量模塊,用于測量所述得到的埋阻長度方向的成形尺寸;
埋阻寬度方向成形尺寸計算模塊,用于根據所述測量的埋阻長度方向的成形尺寸計算修正的埋阻寬度方向的成形尺寸;
埋阻寬度方向成形尺寸獲取模塊,用于根據所述修正的埋阻寬度方向的成形尺寸,蝕刻電阻層,得到成形的埋阻。
6.如權利要求5所述的實現高精度埋阻的裝置,其特征在于,所述埋阻長度方向成形尺寸獲取模塊包括:
涂層單元,用于在導體層涂上光致抗蝕劑;
掩膜獲取單元,用于利用曝光和顯影技術在埋阻區域得到所述預設埋阻圖形連接端子對應的光致抗蝕劑掩膜,在非埋阻區域得到所述互連線路對應的光致抗蝕劑掩膜:
導體層蝕刻單元,用于蝕刻導體層;
清洗單元,用于清洗所述光致抗蝕劑掩膜,得到所述埋阻長度方向的成形尺寸和所述非埋阻區域互連線路。
7.如權利要求5所述的實現高精度埋阻的裝置,其特征在于,所述埋阻寬度方向成形尺寸獲取模塊包括:
覆蓋單元,用于將修正的埋阻寬度掩膜覆蓋在埋阻區域;
導體層蝕刻單元,用于蝕刻所述修正的埋阻寬度掩膜以外的電阻層,得到所述成形的埋阻。
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