[發(fā)明專利]一種白鎢礦型DyCrO4晶體及其高壓合成方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810057516.4 | 申請日： | 2008-02-02 |
| 公開（公告）號： | CN101307492A | 公開（公告）日： | 2008-11-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 龍有文;楊留響;靳常青 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學院物理研究所 |
| 主分類號： | C30B29/22 | 分類號： | C30B29/22;C30B29/24;C30B1/12 |
| 代理公司： | 北京中創(chuàng)陽光知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 | 代理人： | 尹振啟 |
| 地址： | 100080北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 白鎢礦 dycro sub 晶體 及其 高壓 合成 方法 | ||
1、鎢礦型DyCrO4晶體，其空間群為四方I41/a，Z＝4，晶胞常數(shù)為：
2、如權(quán)利要求1所述的晶體，其特征在于，所述晶體為單相且為黑色，屬于反鐵磁絕緣體。
3、一種單相的白鎢礦型DyCrO4晶體的制備方法，其特征在于，
將常壓下獲得的鋯石型DyCrO4晶體在一定壓力和溫度條件下，制備出的白鎢礦型DyCrO4晶體；其中，所述的一定壓力和溫度條件為：壓力6GPa-10GPa，溫度350℃-450℃，保溫時間10-20分鐘。
4、如權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述一定的壓力和溫度條件為：壓力6GPa-8GPa，溫度400℃-450℃，保溫時間10-15分鐘。
5、如權(quán)利要求3或4所述的制備方法，其特征在于，使用前對常壓下獲得的鋯石型DyCrO4晶體在氧氣流中，于250-350℃的溫度條件下進行5-10小時的熱處理。
6、如權(quán)利要求3或4所述的制備方法，其特征在于，其具體步驟包括：將稱取的鋯石型DyCrO4壓片，并用金箔或鉑箔包裹后，裝入葉臘石組塊中(如圖1所示，其中葉臘石作為傳壓介質(zhì)，鋼圈和鉬片作為導熱物質(zhì)，BN作為導熱和傳壓物質(zhì)，石墨爐作為加熱器)，將壓力逐漸升高到6-10GPa，等壓力穩(wěn)定后，啟動加熱裝置，把溫度升高到350-450℃，同時在該溫度和高壓下保持10-15分鐘，然后充分冷卻，再釋放壓力，獲得黑色的單相白鎢礦型DyCrO4晶體。
7、如權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，壓力逐漸升高的速率為1-2GPa/分鐘，溫度升高的速率為100-200℃/分鐘。
8、如權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述樣品腔內(nèi)的傳壓介質(zhì)為葉臘石。
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