[發明專利]碳化硅二次外延結構有效
| 申請號： | 200810054651.3 | 申請日： | 2008-03-20 |
| 公開（公告）號： | CN101246899A | 公開（公告）日： | 2008-08-20 |
| 發明（設計）人： | 楊霏;潘宏菽;陳昊;馮震;呂云安;齊國虎;張志國;馮志紅;蔡樹軍;楊克武 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第十三研究所 |
| 主分類號： | H01L29/24 | 分類號： | H01L29/24;H01L21/336 |
| 代理公司： | 石家莊國為知識產權事務所 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050051河*** | 國省代碼： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 碳化硅 二次 外延 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種碳化硅MESFET器件源漏部分歐姆接觸的二次外延結構，其特征在 于：包括一碳化硅單晶體襯底；
一位于襯底表面的一次同質外延層：所述的一次同質外延層由以下幾部分 組成：p型碳化硅緩沖層、n型碳化硅有源層和非故意摻雜的本征碳化硅層，且 非故意摻雜的本征碳化硅層的源漏區域被去除，形成凹進的源漏圖形；
一位于一次同質外延層表面的在一次同質外延層處理完成后生長的二次外 延層：所述的二次外延層為高摻雜濃度的n型碳化硅外延層，且源漏圖形以外 的高摻雜濃度的n型碳化硅外延層被刻蝕掉；
一位于凹進的源漏圖形中二次外延層表面采用電子束蒸發臺蒸發沉積Ni作 為源漏金屬形成的源漏金屬層。
2.根據權利要求1所述的碳化硅二次外延結構，其特征在于所述襯底所用 碳化硅單晶體材料可以是4H-SiC單晶體、6H-SiC單晶體或者3C-SiC單晶體的 其中一種。
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