[發明專利]一種金紅石納米棒陣列膜的制備方法無效
| 申請號： | 200810053591.3 | 申請日： | 2008-06-20 |
| 公開（公告）號： | CN101293742A | 公開（公告）日： | 2008-10-29 |
| 發明（設計）人： | 鄭文君;彭鵬 | 申請（專利權）人： | 南開大學 |
| 主分類號： | C03C17/23 | 分類號： | C03C17/23;C04B41/50;C08J7/06 |
| 代理公司： | 天津佳盟知識產權代理有限公司 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300071*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 金紅石 納米 陣列 制備 方法 | ||
1.一種金紅石納米棒陣列膜的制備方法，采用水熱合成工藝在水溶性離子液體中生長制成，其特征在于制備步驟如下：
1)將可溶性鈦源和濃度為0.2～0.6摩爾/升的咪唑鹽型離子液體加入濃度為6摩爾/升的鹽酸水溶液中制成混合溶液并攪拌均勻，在制成的混合溶液中，最終咪唑鹽離子液體的濃度為0.05～0.5摩爾/升，鈦源濃度為0.2～0.6摩爾/升；
2)將晶種引入到基片上，方法是將基片蘸取質量濃度為0.05g/mL的德固賽P25懸浮溶液，然后在100～200℃溫度下退火2小時；
3)將引入晶種的基片浸入上述混合溶液中進行水熱合成反應，反應條件為溫度80℃～150℃，晶體生長時間12～50小時；
4)將基片取出后通過水洗至中性，經干燥后即可得到分散排列的金紅石納米棒陣列的單層薄膜。
2.根據權利要求1所述的金紅石納米棒陣列膜的制備方法，其特征在于：所述可溶性鈦源為四氯化鈦、硫酸氧鈦、硫酸鈦、硝酸氧鈦、鈦酸四丁酯和鈦酸異丙酯的一種或兩種以上的任意比例組合。
3.根據權利要求1所述的金紅石納米棒陣列膜的制備方法，其特征在于：所述咪唑鹽型離子液體的陽離子為1-丁基-3-甲基咪唑或1-辛基-3-甲基咪唑，陰離子為氯離子、溴離子或四氟硼酸根離子。
4.根據權利要求1所述的金紅石納米棒陣列膜的制備方法，其特征在于：所述基片為普通玻璃、金屬氧化物單晶片、高分子聚合物薄片或耐酸腐蝕的金屬。?
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