[發明專利]原位合成高純綠色6H-SiC的供電方法無效
| 申請號: | 200810049489.6 | 申請日: | 2008-04-07 |
| 公開(公告)號: | CN101254920A | 公開(公告)日: | 2008-09-03 |
| 發明(設計)人: | 楊東平 | 申請(專利權)人: | 河南醒獅高新技術股份有限公司 |
| 主分類號: | C01B31/36 | 分類號: | C01B31/36 |
| 代理公司: | 鄭州異開專利事務所 | 代理人: | 韓華 |
| 地址: | 450001河南省鄭*** | 國省代碼: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 原位 合成 高純 綠色 sic 供電 方法 | ||
1、一種原位合成高純綠色6H-SiC的供電方法,其特征在于:所述的供電方法分為三個階段:
第一階段:造型階段,原料進入冶煉爐內后,將供電功率調整至額定功率的75-85%,溫度提升至1200-1800℃,這時石英砂分解為SiO氣后與碳基材料C在種料添加劑和高溫的共同作用下反應,逐步形成β-SiC,形成碳化硅結晶筒;
第二階段:成型階段,在供電6-8小時后,將供電功率調整為額定功率的100-110%,這時爐內形成的SiC蒸氣及SiC分解形成的Si2C、SiC2氣體參與晶體生產過程,轉移至溫度較低的部位凝集于碳化硅結晶筒上,使結晶筒內溫度達到2200℃,促使結晶不斷的生成、生長,由β-SiC型體向α-SiC型體轉變,晶體顆粒由微米級向毫米級生長;
第三階段:成品階段,在供電20-24小時后,將供電功率下調至額定功率的65-75%后維持4-6小時,碳化硅結晶筒內溫度保持2200℃,6H-SiC結晶形成。
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