[發(fā)明專利]一種短波長(zhǎng)光輔助硅片直接鍵合方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810047324.5
• 申請(qǐng)日: 2008-04-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101261931A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-09-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 史鐵林;廖廣蘭;馬滄海;湯自榮;聶磊;林曉輝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華中科技大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L21/00
• 分類號(hào): H01L21/00;H01L21/02;H01L21/18;H01L21/20;H01L21/762;H01L21/84
• 代理公司: 華中科技大學(xué)專利中心
• 代理人: 曹葆青

1.一種短波長(zhǎng)輔助低溫硅片直接鍵合方法，其步驟包括：

(1)將待鍵合的硅片進(jìn)行清洗；

(2)將清洗后的硅片進(jìn)行氧化性氨溶液活化，活化后取出；

(3)將氧化性氨溶液活化后的硅片用短波長(zhǎng)光繼續(xù)輔助活化，活化后取出；

(4)將短波長(zhǎng)光輔助活化后的硅片甩干，快速貼合，使之預(yù)鍵合；

(5)進(jìn)行加熱退火，使貼合后的硅片鍵合。

2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的短波長(zhǎng)光輔助硅片直接鍵合方法，其特征在于：步驟(3)中，短波長(zhǎng)光的波長(zhǎng)范圍為100～400nm，短波長(zhǎng)光照射光強(qiáng)為5～30mW/cm²，活化時(shí)間為0.5～30分鐘。

3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的短波長(zhǎng)光輔助硅片直接鍵合方法，其特征在于：步驟(2)中，活化時(shí)所采用的氧化性氨溶液為氨水、雙氧水和去離子水的混合溶液，各組分質(zhì)量比NH₄OH∶H₂O∶H₂O₂＝0.7～2.1∶13～37∶1。

4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的短波長(zhǎng)光輔助硅片直接鍵合方法，其特征在于：步驟(1)中，

(1.1)使用丙酮將待鍵合的硅片超聲清洗3～20分鐘；

(1.2)再使用氫氟酸溶液超聲清洗3～10分鐘，氫氟酸溶液質(zhì)量百分比為1％～20％；

(1.3)然后在硫酸與雙氧水混合溶液中清冼，H₂SO₄、H₂O與H₂O₂的質(zhì)量比為H₂SO₄∶H₂O∶H₂O₂＝5.5～22∶2.4～2.8∶1。

5、根據(jù)權(quán)利要求1所述的短波長(zhǎng)光輔助硅片直接鍵合方法，其特征在于：步驟(5)中，退火溫度100～400℃，退火時(shí)間5～30小時(shí)。