[發(fā)明專利]一種用于EEPROM的靈敏放大器及由其構(gòu)成的讀電路

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810046620.3
• 申請日: 2008-01-04
• 公開（公告）號: CN101221814A
• 公開（公告）日: 2008-07-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄒雪城;劉政林;劉冬生;余瓊;譚波;惠雪梅;李玲;劉旭
• 申請（專利權(quán)）人: 華中科技大學(xué)
• 主分類號: G11C16/26
• 分類號: G11C16/26
• 代理公司: 華中科技大學(xué)專利中心
• 代理人: 曹葆青

1.一種用于EEPROM的靈敏放大器，其特征在于：它包括充電控制電路(1)、檢測電路(2)和保持整形輸出電路(3)；

充電控制電路(1)用于控制對位線電容的充電和瀉放，它由相同的二個(gè)充電控制子電路(11、12)構(gòu)成，二個(gè)充電控制子電路(11、12)受控于充電控制端(EN)，并分別對兩根位線(BLL、BLR)進(jìn)行充放電；

檢測電路(2)用于檢測上述兩根位線(BLL、BLR)充電時(shí)間的差異，為一個(gè)同或門，兩根位線(BLL、BLR)的電壓作為同或門的輸入；其輸出連接到保持整形輸出電路(3)中PMOS管P9的柵極；

保持整形輸出電路(3)包括PMOS管P9、P10，NMOS管N9、N10和電容C1；PMOS管P9的柵極接檢測電路的輸出端，NMOS管N9的柵極接充電控制端(EN)，其公共漏極接電容C1的上極板；電容C1由NMOS管接成電容形式構(gòu)成，上極板為NMOS管的柵極，與PMOS管P9和NMOS管N9的公共漏極和下級反相器的輸入連接，下極板與地連接；PMOS管P10和NMOS管N10組成反相器結(jié)構(gòu)，其公共柵極作為輸入端接電容C1的上極板，其公共漏極作為靈敏放大器的輸出端。

2.由權(quán)利要求1所述的靈敏放大器構(gòu)成的讀電路，其特征在于：它包括K個(gè)靈敏放大器和第一、第二存儲模塊(LB、RB)，其中1≤K≤64，各靈敏放大器的兩根位線(BLL、BLR)分別接到第一、第二存儲模塊(LB、RB)的對應(yīng)位線上，第一、第二存儲模塊的控制柵電壓輸入端(CG)、其公共源端(S)以及各選擇端分別對應(yīng)連接在一起，其中公共源端(S)通過受控于充電控制端(EN)的NMOS管N11與地連接，第一、第二存儲塊的字線各自獨(dú)立控制。