[發(fā)明專利]焦爐煤氣干法凈化變溫吸附工藝

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810045657.4
• 申請日: 2008-07-29
• 公開（公告）號: CN101323799A
• 公開（公告）日: 2008-12-17
• 發(fā)明（設計）人: 曾凡華;殷文華;李克兵;張杰;郜豫川
• 申請（專利權）人: 四川天一科技股份有限公司
• 主分類號: C10K1/22
• 分類號: C10K1/22;C10K1/32
• 代理公司: 成都九鼎天元知識產權代理有限公司
• 代理人: 劉明芳;吳彥峰

1.焦爐煤氣干法凈化變溫吸附工藝，其特征在于：將原料焦爐煤氣通過雜質脫除系統(tǒng)和雜質回收處理系統(tǒng)進行處理，其中：

所述的雜質脫除系統(tǒng)采用一級凈化系統(tǒng)或多級凈化系統(tǒng)，其中任一級凈化系統(tǒng)均包括至少2臺吸附床、相應數量的閥門、加熱器、冷卻器，吸附床均采用復合床，在同一吸附床內分別裝填至少兩種不同的吸附劑；每臺吸附床分別經歷吸附、降壓、加熱、冷吹、升壓過程，各吸附床組成一個連續(xù)運轉系統(tǒng)，每臺吸附床在一次循環(huán)周期中經歷以下主要工藝過程：

(1)、吸附：原料焦爐煤氣從吸附床底部經原料氣管道及閥門進入吸附床，焦爐煤氣中強吸附性的雜質組分被吸附床內的吸附劑吸附，弱吸附性組分穿過吸附劑從吸附床上部經管道及閥門排出并送出界區(qū)得到凈化后的焦爐煤氣，當焦爐煤氣中的雜質達到規(guī)定濃度時，關閉吸附床進口閥及出口閥，終止焦爐煤氣的進料，停止吸附；吸附工作壓力0.005～3.0MPa.g；

(2)、降壓：吸附步驟結束后，開啟降壓閥門，依靠吸附床內的壓力，自動將吸附床內的氣體從吸附床底部排除，直至吸附床內的壓力為0～0.10MPa.g；

(3)、加熱：開啟加熱閥門，用溫度為150～420℃的加熱介質從吸附床頂部進入吸附床，對吸附床加熱到120～400℃，將吸附床中吸附的雜質全部汽化成再生氣，隨加熱介質一同從吸附床底部帶出吸附床，使吸附劑得到再生；

(4)、冷吹：開啟冷吹閥門，用常溫凈化后的焦爐煤氣或氮氣從吸附床頂部進入，將吸附床內的余熱帶出，直至達到原料焦爐煤氣的溫度；

(5)、升壓：開啟升壓閥門，利用凈化后的焦爐煤氣緩慢將吸附床充壓，直至達到吸附正常工作壓力，等待下一次吸附時投用；

雜質回收處理系統(tǒng)至少包括1臺冷卻分離器和其它輔助設施，將再生氣冷卻降到常溫，對冷卻后形成的固態(tài)雜質、液態(tài)雜質和氣體進行分離。

2.根據權利要求1所述的焦爐煤氣干法凈化變溫吸附工藝，其特征在于：

所述的雜質脫除系統(tǒng)中，任一級凈化系統(tǒng)包括2～20臺吸附床。

3.根據權利要求1所述的焦爐煤氣干法凈化變溫吸附工藝，其特征在于：

所述的雜質脫除系統(tǒng)中，每一臺吸附床內裝填的吸附劑，選自惰性氧化鋁、活性氧化鋁、焦炭、硅膠、活性炭中的任意兩種或兩種以上。

4.根據權利要求1所述的焦爐煤氣干法凈化變溫吸附工藝，其特征在于：

所述的雜質脫除系統(tǒng)中，加熱步驟所用的加熱介質選自水蒸汽、氮氣、變壓吸附解吸氣、凈化后的焦爐煤氣；其中，變壓吸附解吸氣和凈化后的焦爐煤氣的加熱溫度為150～180℃，氮氣的加熱溫度為150～300℃，水蒸汽的加熱溫度為150～420℃。

5.根據權利要求1所述的焦爐煤氣干法凈化變溫吸附工藝，其特征在于：

所述的雜質脫除系統(tǒng)中，每臺吸附床都分別經歷相同的吸附、降壓、加熱、冷吹、升壓步驟，只是順序上相互交叉，使凈化過程連續(xù)進行，得到穩(wěn)定的凈化后的焦爐煤氣。

6.根據權利要求1所述的焦爐煤氣干法凈化變溫吸附工藝，其特征在于：

所述的雜質回收處理系統(tǒng)中，經冷卻降到常溫后，雜質萘、氮化物及部分硫化物結晶成固態(tài)，雜質焦油和苯冷凝成液態(tài)，沸點低的硫化氫、二氧化碳、甲烷仍是氣態(tài)，將固態(tài)雜質、液態(tài)雜質和氣體進行機械分離。

7.根據權利要求1所述的焦爐煤氣干法凈化變溫吸附工藝，其特征在于：

所述的雜質回收處理系統(tǒng)中，在冷卻分離器中噴入水，使達到更好的分離效果。