[發明專利]一種防靜電保護結構及其制作方法

有效

• 申請號: 200810044148.X
• 申請日: 2008-12-19
• 公開（公告）號: CN101752347A
• 公開（公告）日: 2010-06-23
• 發明（設計）人: 蘇慶;呂趙鴻
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L23/60
• 分類號: H01L23/60;H01L21/00
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 顧繼光

1.一種防靜電保護結構，包括P型襯底及其上面的N型深阱，所述N 型深阱上設置有P阱，所述P阱包括高壓P阱和包含在高壓P阱內的低壓P 阱，所述P阱與N型深阱上設置有第一多晶硅柵，所述第一多晶硅柵的左 部覆蓋高壓P阱和低壓P阱，右部覆蓋N型深阱，所述第一多晶硅柵的左 側下方設置有第一N+擴散區，所述第一N+擴散區左側還設置有一個P+擴散 區，所述P+擴散區的左側設置有第一場氧化區，所述P+擴散區與所述第一 N+擴散區之間相隔有第二場氧化區，所述P+擴散區、第一N+擴散區和第一 多晶硅柵接地，所述第一多晶硅柵的右側下方位于N型深阱之上設置有第 三場氧化區，所述第三場氧化區右側設置有第二N+擴散區，所述第二N+擴 散區的右側設置有第四場氧化區，所述第二N+擴散區連接輸出入焊墊，其 特征在于，所述N型深阱范圍內，位于第二N+擴散區和第四場氧化區的下 方還設置有一個N阱，所述N阱的下方還設置有一個N型二次擴散區。

2.一種如權利要求1所述的防靜電保護結構的制作方法，其特征在于， 在所述場氧化區形成之后，N阱形成之前，通過增加一次離子注入形成所述 N型二次擴散區。

3.根據權利要求2所述的防靜電保護結構的制作方法，其特征在于， 制作所述N型二次擴散區時，離子注入的雜質類型與N型深阱雜質類型相 同；注入的能量要確保濃度的峰值處于高壓P阱和低壓P阱之間；注入的 劑量與N阱最深的一次注入劑量相同；注入的位置要處在N阱的正下方， 并與高壓P阱保持一定的距離，從而在漏區下方形成一路低阻通道，該低 阻通道與N阱相連，且不影響N型深阱與高壓P阱的結擊穿電壓。