[發明專利]LDMOS晶體管中的溝道形成方法

無效

• 申請號: 200810043984.6
• 申請日: 2008-11-24
• 公開（公告）號: CN101740385A
• 公開（公告）日: 2010-06-16
• 發明（設計）人: 陳華倫;羅嘯;熊濤;陳瑜;陳雄斌
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/266
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種LDMOS晶體管中的溝道形成方法，其特征在于：在硅襯底上進行深阱注入之后，包括如下步驟：

1)在硅表面生長一氧化層作為注入阻擋層；

2)利用光刻工藝進行定義有源區，并以光刻形成的光刻膠圖案為掩膜，刻蝕未被光刻膠覆蓋的氧化層至硅表面，后去除光刻膠；

3)氧化使裸露的硅表面生長一氧化硅作為注入保護層，接著利用光刻工藝定義出基區，以所形成的光刻膠圖案為掩膜，進行離子注入形成基區，所述基區即為所述LDMOS晶體管的溝道。

2.按照權利要求1所述的溝道形成方法，其特征在于：所述步驟一中的氧化層厚度為4000-10000埃之間。

3.按照權利要求1所述的溝道形成方法，其特征在于：所述步驟一中的氧化層采用熱氧化或淀積的方法制備而成。

4.按照權利要求1-3中任一項所述的溝道形成方法，其特征在于：所述步驟三之后還包括用濕法處理所述氧化層使其頂角圓滑化的步驟。

5.按照權利要求1-3中任一項所述的溝道形成方法，其特征在于：所述步驟三之后還包括在硅襯底上接著淀積另一氧化層，之后刻蝕所述另一氧化層使在步驟二刻蝕后形成的臺階處形成側墻的步驟。

6.按照權利要求1所述的溝道形成方法，其特征在于：所述步驟一中的氧化層由下層氧化層、中間氮化物和上層氧化層組成的三明治結構替代，所述步驟三之后還包括將所述中間氮化物和所述上層氧化層去除的步驟。