[發明專利]掩模板

無效

• 申請號: 200810043706.0
• 申請日: 2008-08-12
• 公開（公告）號: CN101650525A
• 公開（公告）日: 2010-02-17
• 發明（設計）人: 蔣順;常曙光;馬駿;袁劍峰;王志鵬;荊常營
• 申請（專利權）人: 上海天馬微電子有限公司
• 主分類號: G03F1/14
• 分類號: G03F1/14;H01L21/84
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種陣列基板制造過程中所使用的掩模板，尤其涉及一種適用于多種圖案化工序并降低成本的掩模板。

背景技術

近年來，信息通訊領域的迅速發展，提高了各種類型的顯示設備的需求。目前主流的顯示器件主要有：陰極射線管顯示器(CRT)，液晶顯示器(LCD)，等離子體顯示器(PDP)，電致發光顯示器(ELD)和真空熒光顯示器(VFD)等。其中，薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)以其高清晰度，真彩視頻顯示，外觀輕薄，耗電量少，無輻射污染等優點而成為顯示器件發展的主流趨勢。

液晶顯示器通常包括用于顯示畫面的液晶顯示面板和用于向液晶顯示面板提供驅動信號的驅動電路部分。通常，液晶顯示面板包括第一玻璃基板和第二玻璃基板，它們彼此粘接在一起并通過液晶盒間隙(CELL?GAP)彼此間隔開。液晶材料層注入到第一玻璃基板和第二玻璃基板之間的間隙中。

在第一玻璃基板(即，薄膜晶體管液晶顯示器的陣列基板)上形成有多條柵極線和多條數據線，其中多條柵極線以固定的間隔彼此分開并沿著第一方向延伸，而多條數據線以固定的間隔彼此分開并且沿著基本上垂直于第一方向的第二方向延伸，其中通過柵極線和數據線的相互交叉限定出多個像素區域，以矩陣方式設置在相應的每個像素區域中的多個像素電極；和多個薄膜晶體管(TFT)，能夠響應提供給相應的每條柵極線的信號將來自數據線的信號發送給對應的每個像素電極。

第二玻璃基板(即，薄膜晶體管液晶顯示器的濾色片基板)上形成有黑色矩陣層(BM)，能夠防止在像素區域以外的面積中的光泄漏；濾色片層(R，G，B)，用于有選擇地傳輸具有預定波長的光；和公共電極，用來實現畫面。在平面開關模式(IPS模式)等水平場模式的LCD裝置中，公共電極形成在第一玻璃基板上。

目前，薄膜晶體管液晶顯示面板設計中采用的是同一種陣列工藝的產品使用套件掩模板100實現不同的工藝。

請參閱圖1，圖1所示為現有的制造陣列基板時所使用的套件掩模板100的示意圖。所述套件掩模板100包括用以形成陣列基板上的不同層圖案化層所需要的不同掩模板。在此為了方便說明起見，以薄膜晶體管液晶顯示器產業界普遍采用的五道掩模工序為例。所述五道掩模工序分別對應五個不同的掩模板。具體而言，套件掩模板100包括第一掩模板110，用以在陣列基板上形成柵極和柵極線；第二掩模板120，用以在陣列基板上形成硅島層；第三掩模板130，用以在陣列基板上形成源極、漏極和數據線；第四掩模板140，用以在陣列基板上形成過孔；第五掩模板150，用以在陣列基板上形成像素電極、柵焊盤端子及數據焊盤端子。

請繼續參閱圖1，以第一掩模板110為例，該第一掩模板110具有第一邊框111，對應于單位產品第一圖案化層的第一掩模圖形112及形成于第一掩模圖形112外圍的第一區域113。同樣，第二掩模板120具有第二邊框121，對應于單位產品第二圖案化層的第二掩模圖形122及形成于第二掩模圖形122外圍的第二區域123。第三掩模板130具有第三邊框131，對應于單位產品第三圖案化層的第三掩模圖形132及形成于第三掩模圖形132外圍的第三區域133。第四掩模板140具有第四邊框141，對應于單位產品第四圖案化層的第四掩模圖形142及形成于第四掩模圖形142外圍的第四區域143。第五掩模板150具有第五邊框151，對應于單位產品第五圖案化層的第五掩模圖形152及形成于第五掩模圖形152外圍的第五區域153。

在陣列基板上形成第一掩模圖形112對應的第一圖案化層的方法是先在陣列基板上沉積第一金屬層，并通過第一掩模工序對其進行構圖以形成第一圖案化層，具體而言，第一圖案化層為柵極和柵極線。其中，在柵極線的一端處具有柵焊盤。形成該第一金屬層的方法例如是物理氣相沉積或化學氣相沉積等方式，而且第一金屬層的材質可以是鉭(Ta)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鈦(Ti)或鋁(Al)等導電材質。接著，在第一金屬層上形成第一光刻膠層。之后，提供第一掩模板110，并使第一掩模板110的第一掩模圖形112與陣列基板的第一圖案化層對應，以該第一掩模板110為掩模對第一光刻膠層進行曝光與顯影，以形成第一圖案化光刻膠層。最后，以第一圖案化光刻膠層為掩模，移除部分第一金屬層以形成第一圖案化層。

介電層全面性地形成于陣列基板上，覆蓋住第一圖案化層。其中，形成介電層的方法例如是電漿加強化學氣相沉積法或是其它沉積方式，介電層的材質例如是氮化硅、氮氧化硅、氧化硅或是其它介電材質。而形成于柵極上的介電層是作為柵極絕緣層之用。