[發明專利]多晶硅薄膜及柵極的形成方法

有效

• 申請號: 200810041809.3
• 申請日: 2008-08-15
• 公開（公告）號: CN101651094A
• 公開（公告）日: 2010-02-17
• 發明（設計）人: 涂火金;范建國;劉培芳;蔡丹華;王海峰
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/205
• 分類號: H01L21/205;H01L21/28
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 董立閩;李 麗

1.一種多晶硅薄膜的形成方法，其特征在于，包括步驟：

提供襯底；

將所述襯底放入沉積室內；

根據預定的多晶硅薄膜的電阻調節值確定反應氣體通入時的流量上升時間，具體包括：通過實驗確定多晶硅薄膜的電阻值與反應氣體通入時的流量上升時間之間的關系曲線；選擇與要調整電阻值的多晶硅薄膜相對應的關系曲線；根據預定的多晶硅薄膜的電阻調節值按照所述關系曲線確定反應氣體通入時的流量上升時間；按所述流量上升時間進行多晶硅薄膜的生長；

按照所述流量上升時間向所述沉積室內通入反應氣體，在所述襯底上沉積多晶硅薄膜；

取出所述襯底。

2.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述反應氣體包括硅烷。

3.如權利要求2所述的形成方法，其特征在于：所述硅烷的流量峰值在100sccm至500sccm之間。

4.如權利要求2或3所述的形成方法，其特征在于：所述流量上升時間在10ms到60秒之間。

5.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于：根據預定的多晶硅薄膜的電阻調節值確定反應氣體通入時的流量上升時間，包括：

當所述電阻調節值為正值時，縮短所述流量上升時間；

當所述電阻調節值為負值時，延長所述流量上升時間。

6.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于：沉積多晶硅薄膜時，所述沉積室的溫度在530至650℃之間，壓力在0.1至1Torr之間。

7.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于：沉積多晶硅薄膜時，還通入了用于稀釋反應氣體或為了調節沉積室壓力的氣體。

8.一種柵極的形成方法，其特征在于，包括步驟：

提供襯底，且所述襯底上已形成柵氧化層；

將所述襯底放入沉積室內；

根據預定的多晶硅薄膜的電阻調節值確定反應氣體通入時的流量上升時間；

按照所述流量上升時間向所述沉積室內通入反應氣體，在所述襯底上沉積多晶硅薄膜；

取出所述襯底；

對所述襯底進行柵極圖形化處理；

刻蝕所述多晶硅薄膜及柵氧化層，形成柵極。

9.如權利要求8所述的形成方法，其特征在于：所述反應氣體包括硅烷。

10.如權利要求9所述的形成方法，其特征在于：所述硅烷的流量峰值在100sccm至500sccm之間。

11.如權利要求9或10所述的形成方法，其特征在于：所述流量上升時間在10ms到60秒之間。

12.如權利要求8所述的形成方法，其特征在于：根據預定的多晶硅薄膜的電阻調節值確定反應氣體通入時的流量上升時間，包括：

當所述電阻調節值為正值時，縮短所述流量上升時間；

當所述電阻調節值為負值時，延長所述流量上升時間。

13.如權利要求8所述的形成方法，其特征在于：根據預定的多晶硅薄膜的電阻調節值確定反應氣體通入時的流量上升時間，包括：

通過實驗確定多晶硅薄膜的電阻值與反應氣體通入時的流量上升時間之間的關系曲線；

選擇與要調整電阻值的多晶硅薄膜相對應的關系曲線；

根據預定的多晶硅薄膜的電阻調節值按照所述關系曲線確定反應氣體通入時的流量上升時間；

按所述流量上升時間進行多晶硅薄膜的生長。

14.如權利要求8所述的形成方法，其特征在于：沉積多晶硅薄膜時，所述沉積室的溫度在530至650℃之間，壓力在0.1至1Torr之間。

15.如權利要求8所述的形成方法，其特征在于：沉積多晶硅薄膜時，還通入了用于稀釋反應氣體或為了調節沉積室壓力的氣體。