[發(fā)明專利]多疇垂直取向模式的液晶顯示器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810041541.3 | 申請日: | 2008-08-11 |
| 公開(公告)號: | CN101339337A | 公開(公告)日: | 2009-01-07 |
| 發(fā)明(設計)人: | 黃秋平 | 申請(專利權)人: | 上海廣電光電子有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1343 | 分類號: | G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/137 |
| 代理公司: | 上海申匯專利代理有限公司 | 代理人: | 白璧華 |
| 地址: | 200233上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 垂直 取向 模式 液晶顯示 器件 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器件,特別是涉及一種多疇垂直取向模式(Multi-domain?Vertical?Alignment,MVA/PVA)的液晶顯示器件。
背景技術
液晶顯示器是使用廣泛的平板顯示器。液晶顯示器包括兩個玻璃基板和液晶層,其中,兩個基板設有電極(像素電極和共電極),液晶層在兩個基板之間。液晶顯示器通過將電壓施加到電極以在液晶層內產生電場,液晶層中的液晶分子在電場的作用下取向以調節(jié)入射光的偏振。
由于多疇垂直取向模式(Multi-domain?Vertical?Alignment,MVA/PVA)液晶顯示器具有較快的反應速度、寬的可視角度、高的透光率、高的對比度和完美的畫質,近年來逐漸被廣泛的應用。
圖1是現(xiàn)有的多疇垂直取向模式液晶顯示面板的子像素平面結構示意圖。掃描信號線10驅動薄膜晶體管13,將數(shù)據(jù)信號線12上的電壓信號寫入像素電極14。存儲電容公共線28與像素電極14形成儲存電容,保持像素電極14上的電壓穩(wěn)定,從而驅動液晶分子偏轉。兩個基板上的疇調制裝置15和疇調制裝置16將液晶分成多個疇,使液晶分子傾斜在不同方向上,從而使得參考視角變寬。其中,疇調制裝置可以是突起或狹縫。然而,由于像素結構的關系,疇很可能有不同的面積,難以提供均勻的垂直和水平可視性。具體來說,w1,w3,w5,w7屬于同一疇群,w2,w4,w6,w8屬于另一疇群,其中w1,w8面積相等,w2,w7面積相等,w3,w6面積相等,但由于像素結構的關系,w4,w5面積不等,w5面積略大于w4,這樣,兩個相對應的疇群面積不等,引起可視性能的降低。
為了實現(xiàn)疇面積相等,專利CN200610092258.4提出了改變疇之間寬度和通過存儲線側翼遮擋多余疇面積解決方案。請參見圖2A,對子像素電極82b,共電極狹縫92將其分成四疇,為使A、B、C、D四個疇面積相等,改變Wa/Wb和Wc/Wd的比例。請繼續(xù)參見圖2B,Wa/Wb和Wc/Wd的比例不變,在存儲電容公共線28上伸出側翼,存儲電容公共線側翼29將疇多余面積遮住,從而保持疇有效亮度面積相等。
上述方案雖然可以實現(xiàn)疇面積相等,但仍存在一些問題。圖2A方案改變了疇之間的寬度,將引起不同寬度的疇中液晶分子傾斜角度和響應速度的不一致,從而產生亮度差異。圖2B雖然沒有這個問題,但加大了存儲線和像素電極以及數(shù)據(jù)線之間的重疊面積,因而增加了發(fā)生短路的可能。
發(fā)明內容
本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種多疇垂直取向模式的液晶顯示器件,既能有效保持疇有效亮度面積相等,提供均勻的垂直和水平可視性,又不影響亮度差異及產品制造良率。
為解決上述問題,本發(fā)明提供了一種多疇垂直取向模式的液晶顯示器件,包括:一彩膜基板,其表面形成有遮光層和共電極;一陣列基板,包括多個子像素區(qū)域,每個子像素內設置有像素電極;液晶層,填充在所述彩膜基板和陣列基板之間;其中,所述共電極或像素電極上形成有疇調制裝置,每個子像素內液晶被所述疇調制裝置劃分成多個疇群,所述遮光層上設置有延伸部分,所述延伸部分至少和所述多個疇群中的一個疊置,所述多個疇群在疊置后具有基本相同的有效亮度面積。
上述多疇垂直取向模式的液晶顯示器件中,所述疇調制裝置是突起或狹縫。
本發(fā)明對比現(xiàn)有技術有如下的有益效果:本發(fā)明通過遮光層的延伸部分,使得多個疇群具有基本相同的有效亮度面積,提供均勻的垂直和水平可視性,又不影響亮度差異及產品制造良率。
附圖說明
圖1是現(xiàn)有的多疇垂直取向模式液晶顯示面板的子像素平面結構示意圖。
圖2A是現(xiàn)有的通過改變疇之間寬度調整疇面積示意圖。
圖2B是現(xiàn)有的通過存儲線側翼遮擋多余疇面積示意圖。
圖3A、3B是本發(fā)明中通過疇調制裝置的延伸部分遮擋多余疇面積示意圖。
圖4A、4B是本發(fā)明中通過遮光層的延伸部分遮擋多余疇面積示意圖。
圖5A、5B是本發(fā)明通過刻蝕部分像素電極調整疇面積示意圖。
圖中:
10:掃描信號線??????????????12:數(shù)據(jù)信號線
13:薄膜晶體管??????????????14:像素電極
15:狹縫????????????????????16:突起
17:疇調制裝置的延伸部分????19:遮光層
20:遮光層延伸部分??????????22:像素電極被刻蝕部分
28:存儲電容公共線??????????29:存儲電容公共線側翼
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