[發(fā)明專利]閃存中源極和漏極的制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810041290.9
• 申請日: 2008-08-01
• 公開（公告）號: CN101640188A
• 公開（公告）日: 2010-02-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔡建祥
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/8247
• 分類號: H01L21/8247;H01L21/265
• 代理公司: 上海翼勝專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙)
• 代理人: 翟 羽

1.一種閃存中源極和漏極的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底表面具有若干第一類柵結(jié)構(gòu)和若干第二類柵結(jié)構(gòu)，所述若干第一類柵結(jié)構(gòu)構(gòu)成陣列，所述若干第二類柵結(jié)構(gòu)位于所述若干第一類柵結(jié)構(gòu)所構(gòu)成的陣列的外圍，相鄰的第二類柵結(jié)構(gòu)之間具有淺溝槽結(jié)構(gòu)，相鄰的兩個(gè)第一類柵結(jié)構(gòu)之間的距離，以及第一類柵結(jié)構(gòu)與和它相鄰的第二類柵結(jié)構(gòu)之間的距離，都小于兩個(gè)相鄰第二類柵結(jié)構(gòu)之間的距離；

進(jìn)行第一離子的注入，在第一類柵結(jié)構(gòu)兩側(cè)以及第二類柵結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底中都形成摻雜區(qū)域，所述摻雜區(qū)域用以形成共用源、漏極以及相鄰的第二類柵結(jié)構(gòu)之間的獨(dú)立的源極和漏極；

在半導(dǎo)體襯底、第一類柵結(jié)構(gòu)以及第二類柵結(jié)構(gòu)的表面形成阻擋層，所述阻擋層覆蓋半導(dǎo)體襯底且覆蓋所述第一類柵結(jié)構(gòu)和第二類柵結(jié)構(gòu)的表面和側(cè)壁；

刻蝕阻擋層，直至相鄰的第二類柵結(jié)構(gòu)之間的阻擋層被去除至露出半導(dǎo)體襯底表面；

進(jìn)行第二離子的注入，在相鄰的兩個(gè)第二類柵結(jié)構(gòu)之間露出的半導(dǎo)體襯底中進(jìn)行補(bǔ)充摻雜，形成具有補(bǔ)充摻雜的獨(dú)立源極和漏極；

去除阻擋層的殘余部分。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的閃存中源極和漏極的制作方法，其特征在于，所述第一類柵結(jié)構(gòu)用于形成閃存的存儲(chǔ)柵。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的閃存中源極和漏極的制作方法，其特征在于，所述第二類柵結(jié)構(gòu)用于形成閃存的控制柵。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的閃存中源極和漏極的制作方法，其特征在于，所述阻擋層為氮化硅。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的閃存中源極和漏極的制作方法，其特征在于，所述第一離子選自磷離子和砷離子中的至少一種，所述第二離子選自磷離子和砷離子中的至少一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的閃存中源極和漏極的制作方法，其特征在于，所述第一離子和第二離子采用同一種離子。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的閃存中源極和漏極的制作方法，其特征在于，所述刻蝕阻擋層的方法為干法刻蝕。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的閃存中源極和漏極的制作方法，其特征在于，所述干法刻蝕所使用的氣體選自氯氣和溴化氫中的至少一種。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的閃存中源極和漏極的制作方法，其特征在于，第二離子注入所采用的注入劑量大于第一離子注入所采用的注入劑量。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的閃存中源極和漏極的制作方法，其特征在于，所述閃存為NAND閃存。