[發明專利]用于計算機硬盤基片拋光后表面的鈍化液組合物無效
| 申請號: | 200810040011.7 | 申請日: | 2008-07-01 |
| 公開(公告)號: | CN101319320A | 公開(公告)日: | 2008-12-10 |
| 發明(設計)人: | 雷紅 | 申請(專利權)人: | 上海大學 |
| 主分類號: | C23C22/06 | 分類號: | C23C22/06 |
| 代理公司: | 上海上大專利事務所(普通合伙) | 代理人: | 顧勇華 |
| 地址: | 200444*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 計算機 硬盤 拋光 表面 鈍化 組合 | ||
技術領域
本發明涉及一種用于計算機硬盤基片拋光后表面的鈍化液組合物,特別是一種用于Ni-P鍍敷的計算機硬盤基片拋光后表面的鈍化液組合物;鈍化處理后可提高表面的易清潔性,并降低表面殘留物。屬于計算機硬盤表面清洗技術領域。
背景技術
近年來,隨著存儲器硬盤容量及存儲密度的快速上升,計算機磁頭的飛行高度已降低到10nm左右,預計下一代將降低到7-8nm。隨著磁頭與磁盤間運行如此的接近,對磁盤表面的平整性及潔凈度的要求越來越高。如果硬盤表面粗糙度、波紋度過大,在高速旋轉的過程中,磁頭就會與磁盤表面發生碰撞,損壞磁頭或存儲器硬盤表面上的磁介質,從而導致磁盤設備發生故障或讀寫信息的錯誤。同時,存儲器硬盤表面上殘留的微顆粒也會導致磁頭碰撞。
目前,普遍采用化學機械拋光(CMP)技術對硬盤基片表面進行拋光,由于拋光后新鮮表面活性高,以及CMP拋光液中大量使用高濃度的納米磨粒(如納米二氧化硅、納米氧化鋁粒子)、多種化學品等因素,工件表面極易吸附納米顆粒等污染物,導致化學機械后清洗極其困難。清洗質量的高低已嚴重影響到計算機硬盤基片的使用性能。
發明內容
本發明的目的是克服已有硬盤基片化學機械拋光后清清技術的不足,提供了一種適合計算機硬盤基片表面的鈍化液,用于硬盤基片拋光后的鈍化處理。
本發明一種用于計算機硬盤基片拋光后表面的鈍化液組合物,其特征在于具有以下的組成及重量百分含量:
氧化劑:0.05~5.0%;所述的氧化劑為雙氧水;
緩蝕劑:0.05~3.0%;所述的緩蝕劑為甘氨酸、硫脲、氨基磺酸、十二烷基聚氧乙烯醚磷酸酯或羥基苯并三氮唑;
表面活性劑:0.01~1.0%;所述的表面活性劑為烷基硫酸鈉、烷基聚氧乙烯醚羧酸鉀、或烷基聚氧乙烯醚中的任一種。
去離子水:余量。
本發明的鈍化液組合物特別適用于Ni-P鍍敷的計算機硬盤基片化學機械拋光后表面的鈍化處理。
通過鈍化液組合物中各成分對拋光后硬盤基片表面的作用,即對硬盤基片表面的氧化、吸附等作用,使新拋光后的表面及時降低活性,從而減少顆粒等拋光液污染物在硬盤表面的吸附與殘留,提高表面的易清洗性及提高清洗質量。
具體實施方式
現將本發明的具體實施例敘述于后。
實施例一:本實施例中,計算機硬盤基片拋光后表面的鈍化液的組成成分及重量百分含量如下:
表面活性劑十二烷基硫酸鈉??????????0.3%;
緩蝕劑甘氨酸??????????????????????1%;
氧化劑雙氧水??????????????????????1%;
去離子水??????????????????????????97.7%。
鈍化液的制備:在機械攪拌下,依次將表面活性劑、緩蝕劑加入到去離子水中,攪拌溶解后,在攪拌下再加入氧化劑,攪拌充分均勻后,即得到透明的鈍化液。
對拋光后的Ni-P鍍敷的計算機硬盤基片進行浸泡鈍化處理,鈍化浸泡時間為30秒;然后按常規正常清洗工藝進行清洗;最后采用產品質量測試系統對所述硬盤基片進行表面檢測;測試硬盤基片表面的合格率及表面存在的微缺陷率。檢測結果見表1。
實施例二:本實施例中,計算機硬盤基片拋光后表面的鈍化液的組成成分及重量百分含量如下:
表面活性劑十二烷基聚氧乙烯醚羧酸鉀????????????0.3%;
緩蝕劑硫脲????????????????????????????????????1%;
氧化劑雙氧水??????????????????????????????????1%;
去離子水??????????????????????????????????????97.7%。
本實施例中的鈍化液的制備、浸泡鈍化處理、及表面檢測過程完全與上述實施例1相同。檢測結果見表1。
實施例三:本實施例中,計算機硬盤基片拋光后表面的鈍化液的組成成分及重量百分含量如下:
表面活性劑十二烷基聚氧乙烯醚?????????????????0.3%;
緩蝕劑羥基苯并三氮唑?????????????????????????1%;
氧化劑雙氧水?????????????????????????????????1%;
去離子水?????????????????97.7%。
本實施例中的鈍化液的制備、浸泡鈍化處理、及表面檢測過程完全與上述實施例1相同。檢測結果見表1。
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