[發明專利]單層有效的高溫超導涂層導體緩沖層厚膜的制備工藝

無效

• 申請號: 200810037629.8
• 申請日: 2008-05-20
• 公開（公告）號: CN101281804A
• 公開（公告）日: 2008-10-08
• 發明（設計）人: 潘成遠;蔡傳兵;應利良;高波;黃飛
• 申請（專利權）人: 上海大學
• 主分類號: H01B12/00
• 分類號: H01B12/00;H01B13/00;H01L39/24
• 代理公司: 上海上大專利事務所
• 代理人: 顧勇華

1.一種單層有效的高溫超導涂層導體緩沖層厚膜的制備工藝，其特征在于：用化學溶液法(CSD)制備厚度足夠的雙軸織構Ho_xCe_1-xO_2-δ(0.1≤x≤0.5)緩沖層薄膜，該方法包括以下步驟：

(1)按Ho和Ce元素的摩爾比為1∶5≤Ho∶Ce≤1∶1，分別稱取適量的醋酸鈰(Ce[CH₃COO]₃·1.5H₂O)和醋酸鈥(Ho[CH₃COO]₃·1.5H₂O)有機鹽粉末，將醋酸鈰和醋酸鈥粉末溶解在體積比為7∶3的丙酸和異丙醇的混合溶劑中，在60～70℃加熱攪拌10～30min后，再加入適量的乙酰丙酮并將溫度提高到100～110℃繼續加熱攪拌，待溶液均勻透明后即可停止攪拌；將溶液放烘箱中在50～90℃下烘烤4～6h后得到前驅溶液；

(2)將雙軸織構的金屬Ni-W基片在丙酮超聲波中清洗20min，再用無水乙醇清洗并吹干；

(3)涂層時，使基片在前驅溶液中停留10～20s后以1～4cm/min退出；將涂有前驅溶液的基片在烘箱中70～100℃烘烤10～20min，然后放入通有體積百分比為Ar+5％H₂混合氣的真空管式爐中，升溫過程中在180℃和600℃分別停留15min和30min，升溫到800～1000℃退火2～4h，最后隨爐冷卻，即可得到雙軸織構且均勻致密的Ho_xCe_1-xO_2-δ(0.1≤x≤0.5)緩沖層薄膜；

(4)重復(3)步驟2～3次，即可得到高溫超導涂層導體緩沖層厚膜。

2.根據權利要求1中所述的單層有效的高溫超導涂層導體緩沖層厚膜的制備工藝，其特征在于：對薄膜中有不同Ho、Ce離子摩爾比的樣品進行退火，當Ho∶Ce＝1時，則在1000℃退火會有更好的織構；而對于Ho∶Ce＜1時，900℃退火會有較好的織構。

3.根據權利要求1中所述的單層有效的高溫超導涂層導體緩沖層厚膜的制備工藝，其特征在于：所述的前驅溶液濃度為0.2～1.0mol/L。