[發明專利]通過結構優化提高出光效率的發光二極管芯片及其制造工藝

無效

• 申請號: 200810037354.8
• 申請日: 2008-05-13
• 公開（公告）號: CN101276868A
• 公開（公告）日: 2008-10-01
• 發明（設計）人: 殷錄橋;張建華;王書方;馬可軍;李抒智
• 申請（專利權）人: 上海大學;上海半導體照明工程技術研究中心
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 上海上大專利事務所
• 代理人: 何文欣

1、一種通過結構優化提高出光效率的發光二極管芯片，包括襯底(4)、襯底上的發光有源層(3)、透明電流擴展層(5)以及p型金pad(1)和n型金pad(2)，其特征在于：

a.所述發光有源層(3)生長在襯底(4)上，其中間有一層過渡層(7)；

b.有一個填充體(6)填充在發光有源層(3)被刻蝕的一個孔里；

c.所述透明電流擴展層(5)生長在發光有源層(3)表面；

d.所述p型金pad(1)蒸鍍在透明電流擴展層(5)上面；

e.所述n型金pad(2)在發光有源層(3)被刻蝕掉的一個角位置上。

2、根據權利要求1所述的通過結構優化提高出光效率的發光二極管芯片，其特征在于所述發光有源層(3)被刻蝕掉并用絕緣填充體(6)填充，填充的被刻蝕孔位于p型金pad(1)的正下方。

3、根據權利要求1所述的通過結構優化提高出光效率的發光二極管芯片，其特征在于所述透明電流擴展層(5)為ITO透明電流擴展層或者透明鎳金電流擴展層或者氧化鋅透明電流擴展層。

4、一種根據權利要求1所述通過結構優化提高出光效率的發光二極管芯片的制造工藝，其特征在于工藝步驟如下：

a.在原有工藝下通過MOCVD設備完成發光有源層(3)的生長制作；

b.在發光有源層(3)上表面需要制作p型金pad(1)電極的正下方位置將發光有源層(3)部分通過刻蝕工藝刻蝕出填充用孔；

c.通過薄膜淀積技術，將刻蝕出的孔填充上填充體(6)至與發光有源層(3)上表面齊平；

d.清洗發光有源層(3)上表面的光刻膠等雜質后，通過薄膜生長技術生長透明電流擴展層(5)；

e.在對應填充體(6)上方的透明電流擴展層(6)上面蒸鍍上p型金pad(1)，在發光有源層(3)被刻蝕掉的一個角位置上制作上的位置制作n型金pad(2)；

f.表面清洗以及雜質清除；

g.將圓片劃分成單個芯片。

5、根據權利要求4所述的通過結構優化提高出光效率的發光二極管芯片的制造工藝，其特征在于工藝步驟b中，刻蝕孔的大小跟相應尺寸芯片上表面的p型金pad電極大小相當。

6、根據權利要求4所述的通過結構優化提高出光效率的發光二極管芯片的制造工藝，其特征在于所述的工藝步驟c中，填充體(6)材料為絕緣材料。