[發(fā)明專利]清洗掩模版的方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810036661.4
• 申請(qǐng)日: 2008-04-25
• 公開（公告）號(hào): CN101566787A
• 公開（公告）日: 2009-10-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉戈煒;趙蓓
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號(hào): G03F1/00
• 分類號(hào): G03F1/00;B08B3/04
• 代理公司: 上海翼勝專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙)
• 代理人: 翟 羽

1.一種清洗掩模版的方法，其特征在于，包括如下步驟：

將掩模版置于含氧氣氛中；

激發(fā)氣氛中的氧氣形成臭氧，以使臭氧與掩模版的遮光層發(fā)生反應(yīng)；

加熱超純水；

將掩模版置于超純水中清洗。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清洗掩模版的方法，其特征在于，所述含氧氣氛中氧氣的體積在全部氣體中所占的比例大于10％。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的清洗掩模版的方法，其特征在于，所述含氧氣氛為選自空氣、純氧以及惰性氣體與氧氣的混合氣體所組成的群組中。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清洗掩模版的方法，其特征在于，采用光照的方法激發(fā)氣氛中的氧氣形成臭氧。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的清洗掩模版的方法，其特征在于，所述光照采用的光源波長(zhǎng)范圍為365nm至150nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的清洗掩模版的方法，其特征在于，所述光照所采用的光源的能量密度的范圍為0.1J/cm²至0.4J/cm²。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的清洗掩模版的方法，其特征在于，所述光照持續(xù)的時(shí)間大于5分鐘。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清洗掩模版的方法，其特征在于，所述加熱超純水，將超純水加熱至溫度為70℃至85℃的范圍。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的清洗掩模版的方法，其特征在于，所述在超純水中清洗的時(shí)間的長(zhǎng)度范圍為5分鐘至20分鐘。