[發明專利]液晶顯示面板、像素結構及其制造方法

有效

• 申請號: 200810034064.8
• 申請日: 2008-02-29
• 公開（公告）號: CN101236345A
• 公開（公告）日: 2008-08-06
• 發明（設計）人: 李喜峰
• 申請（專利權）人: 上海廣電光電子有限公司
• 主分類號: G02F1/139
• 分類號: G02F1/139;G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/84
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司
• 代理人: 陳亮

1.一種像素結構，適用于多疇垂直取向模式液晶顯示裝置，其特征在于，所述像素結構包括：

掃描線和數據線，配置于一基板上，以定義一像素區域，所述像素區域包括第一子像素區域和第二子像素區域；

一薄膜晶體管，配置于所述基板上，并電性連接至所述掃描線與所述數據線；以及

一像素電極，配置于所述像素區域內，并電性連接至所述薄膜晶體管的源極，其中在所述第一子像素區域內的部分像素電極的高度低于在所述第二子像素區域內的部分像素電極的高度，且至少在所述第一子像素區域的像素電極之上覆蓋一層透明的第一耦合電容介質層。

2.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述像素電極上設有多個狹縫。

3.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述第一耦合電容介質層還覆蓋所述第二子像素區域，且所述第一子像素區域與所述第二子像素區域的高度相同。

4.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述第二子像素區域的像素電極之上覆蓋一層透明的第二耦合電容介質層，且所述第二耦合電容介質層的厚度小于所述第一耦合電容介質層的厚度，其中所述第一耦合電容介質層與所述第二耦合電容介質層的介電常數不同。

5.一種液晶顯示面板，適用于多疇垂直取向模式液晶顯示裝置，其特征在于，所述液晶顯示面板包括：

一薄膜晶體管陣列基板，具有多個像素結構，每一像素結構包括：

掃描線和數據線，配置于一基板上，以定義一像素區域，所述像素區域包括第一子像素區域和第二子像素區域；

一薄膜晶體管，配置于所述基板上，并電性連接至所述掃描線與所述數據線；以及

一像素電極，配置于所述像素區域內，并電性連接至所述薄膜晶體管的源極，其中在所述第一子像素區域內的部分像素電極的高度低于在所述第二子像素區域內的部分像素電極的高度，且至少在所述第一子像素區域的像素電極之上覆蓋一層透明的第一耦合電容介質層；

一彩膜基板，與所述薄膜晶體管陣列基板相對設置；以及

一液晶層，配置于所述薄膜晶體管陣列基板與所述彩膜基板之間。

6.一種像素結構的制造方法，其特征在于包括以下步驟：

在一基板上形成包括柵電極、掃描線以及共用電極線的第一導電層；

在第一導電層上沉積柵絕緣層；

在柵絕緣層上形成包括半島體層和歐姆接觸層的半島體島；

在半導體島上形成薄膜晶體管的源極和漏極，且在柵絕緣層上形成數據線，其中數據線與所述掃描線定義一像素區域，其包括第一子像素區域和第二子像素區域；

在基板上沉積鈍化絕緣層；

在鈍化絕緣層上形成像素電極的接觸孔，同時去除所述第一子像素區域中的鈍化絕緣層和柵絕緣層；

在所述像素區域形成圖形化的像素電極，其中所述第一子像素區域中的像素電極高度低于所述第二子像素區域中的像素電極；

沉積一透明的第一耦合電容介質層，其至少覆蓋所述第一子像素區域。

7.如權利要求6所述的像素結構的制造方法，其特征在于，所述像素電極上設有多個狹縫。

8.如權利要求6所述的像素結構的制造方法，其特征在于，所述第一耦合電容介質層還覆蓋所述第二子像素區域，且所述第一子像素區域和第二子像素區域的高度相同。

9.如權利要求6所述的像素結構的制造方法，其特征在于，還包括在所述第二子像素區域的像素電極之上覆蓋一層透明的第二耦合電容介質層，且所述第二耦合電容介質層的厚度小于所述第一耦合電容介質層的厚度，其中所述第一耦合電容介質層與所述第二耦合電容介質層的介電常數不同。