[發(fā)明專利]一種判斷氮化鎵基發(fā)光二級管非輻射復(fù)合中心濃度的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810033719.X
• 申請日: 2008-02-20
• 公開（公告）號: CN101231309A
• 公開（公告）日: 2008-07-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陸衛(wèi);李為軍;張波;李天信;陳平平;李寧;李志鋒;陳效雙
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所
• 主分類號: G01R19/08
• 分類號: G01R19/08;G01J3/28
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司
• 代理人: 郭英

1.一種判斷氮化鎵基發(fā)光二級管非輻射復(fù)合中心濃度的方法，其特征在于具體步驟如下：

A.將按照工業(yè)生產(chǎn)過程制備的GaN基LED芯片置于顯微熒光光譜儀的物鏡下，接通電源使LED發(fā)光，移動樣品臺使LED發(fā)光光束對準(zhǔn)物鏡，將注入電流調(diào)至最低但仍可發(fā)光，調(diào)節(jié)焦距，將物鏡焦點聚在LED發(fā)光面上；

B.調(diào)節(jié)注入電流，從0開始逐漸增大，每間隔一電流值由顯微熒光光譜儀上的CCD探測器采集每一注入電流情況下的EL光譜；

C.利用商業(yè)化的Crosslight模擬軟件程序包APSYS，按照GaN基LED芯片參數(shù)：各層厚度、n型或p型載流子摻雜濃度、量子阱層的組分，利用有限元原理，載流子漂移-擴散模型，通過解泊松方程、電流連續(xù)性方程、載流子能量傳輸方程、熱傳輸方程和標(biāo)量波動方程進行理論模擬計算不同注入電流下的EL光譜；

D.再利用商業(yè)化的軟件Origin分別對理論模擬計算值和實驗測量數(shù)據(jù)用二次函數(shù)：Y＝c+bx+ax²進行擬合計算，其中Y是EL光譜發(fā)光強度值，x是注入電流值，a、b和c是擬合系數(shù)；

E.然后對同一批次的GaN基LED芯片理論計算和實測的EL光譜擬合后各自的二次項系數(shù)a的差異δa進行比對，差異越大表明LED內(nèi)部存在的非輻射復(fù)合中心濃度越高，反之則越小。