[發明專利]一種雙鑲嵌結構的制造方法

有效

• 申請號: 200810033043.4
• 申請日: 2008-01-24
• 公開（公告）號: CN101494191A
• 公開（公告）日: 2009-07-29
• 發明（設計）人: 徐立;曾德強;李世梁
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所
• 代理人: 屈 蘅;李時云

1.一種雙鑲嵌結構的制造方法，其制造在半導體器件的金屬導線層上，其包括以下步驟：a、在該金屬導線層上制作介質層并在該介質層中制作雙鑲嵌結構對應的容置空間，該容置空間包括上下設置且連通的溝槽和通孔；b、在該容置空間壁上制作擴散阻擋層；c、在該容置空間中沉積金屬；d、通過化學機械拋光工藝去除容置空間外的金屬；其特征在于，該步驟a包括以下步驟：a1、在該金屬導線層上依次沉積第一刻蝕終止層、第一層間介質層和第二刻蝕終止層；a2、在該第二刻蝕終止層上涂布光刻膠并光刻出通孔圖形；a3、進行刻蝕工藝以在第二刻蝕終止層上形成通孔圖形凹槽；a4、在第二刻蝕終止層上的通孔圖形凹槽側壁上制作刻蝕終止層側墻，去除光刻膠且沉積第二層間介質層；a5、涂布光刻膠并光刻出溝槽圖形；a6、進行刻蝕工藝以分別在第一和第二層間介質層上形成通孔和溝槽；a7、去除光刻膠并進行刻蝕工藝以使該通孔通至該金屬導線層。

2.如權利要求1所述的雙鑲嵌結構的制造方法，其特征在于，通過沉積第三刻蝕阻止層并通過刻蝕工藝形成該刻蝕終止層側墻。

3.如權利要求2所述的雙鑲嵌結構的制造方法，其特征在于，該第三刻蝕終止層為氮化硅。

4.如權利要求1所述的雙鑲嵌結構的制造方法，其特征在于，該第一和第二層間介質層均為二氧化硅或摻雜有硼、磷或氟元素的二氧化硅。

5.如權利要求1所述的雙鑲嵌結構的制造方法，其特征在于，該第一和第二刻蝕終止層均為氮化硅。

6.如權利要求1所述的雙鑲嵌結構的制造方法，其特征在于，在步驟b中，該擴散阻擋層為氮化鉭。

7.如權利要求1所述的雙鑲嵌結構的制造方法，其特征在于，在步驟c中，該金屬為銅。

8.如權利要求1所述的雙鑲嵌結構的制造方法，其特征在于，在步驟c中，金屬通過電鍍工藝沉積在該容置空間中。