[發明專利]增加源極金屬接觸面積的功率MOS場效應管制造方法

無效

• 申請號: 200810023698.3
• 申請日: 2008-04-16
• 公開（公告）號: CN101266948A
• 公開（公告）日: 2008-09-17
• 發明（設計）人: 朱袁正;周名輝;徐吉程
• 申請（專利權）人: 蘇州硅能半導體科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H01L21/768;H01L21/311;H01L21/308;H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 蘇州創元專利商標事務所有限公司
• 代理人: 馬明渡

1.一種增加源極金屬接觸面積的功率MOS場效應管制造方法，其中，對單胞陣列中的源極接觸區采用光刻、刻蝕以及淀積金屬層制作工藝，其特征在于：源極接觸區的刻蝕依次采用以下方法：

(1)以源極接觸區光刻圖形為掩膜，采用干法刻蝕方法，縱向連續刻蝕絕緣介質層、源極區氧化層以及第一主面，刻蝕深度至第一導電類型摻雜區下方的第二導電類型摻雜區位置，形成源極接觸區溝槽，該溝槽的側向形成有與第一導電類型摻雜區的接觸側面，底部形成有與第二導電類型摻雜區的接觸底面；

(2)以源極接觸區光刻圖形為掩膜，采用濕法腐蝕方法，橫向同時腐蝕絕緣介質層和源極區氧化層，形成第一導電類型摻雜區頂部的橫向接觸平臺。

2.一種增加源極金屬接觸面積的功率MOS場效應管制造方法，其中，對單胞陣列中的源極接觸區采用光刻、刻蝕以及淀積金屬層制作工藝，其特征在于：源極接觸區的刻蝕依次采用以下方法：

(1)以源極接觸區光刻圖形為掩膜，采用干法刻蝕方法，縱向連續刻蝕絕緣介質層和源極區氧化層，刻蝕深度至第一主面的上表面或源極區氧化層內；

(2)以源極接觸區光刻圖形為掩膜，采用濕法腐蝕方法，橫向同時腐蝕絕緣介質層和源極區氧化層，形成第一導電類型摻雜區頂部的橫向接觸平臺；

(3)以源極接觸區光刻圖形為掩膜，采用干法刻蝕方法，縱向刻蝕第一主面，刻蝕深度至第一導電類型摻雜區下方的第二導電類型摻雜區位置，形成源極接觸區溝槽，該溝槽的側向形成有與第一導電類型摻雜區的接觸側面，底部形成有與第二導電類型摻雜區的接觸底面。

3.根據權利要求1或2所述的制造方法，其特征在于：在濕法腐蝕過程中，濕法腐蝕液對絕緣介質層的腐蝕速率大于或等于對源極區氧化層的腐蝕速率。

4.根據權利要求3所述的制造方法，其特征在于：濕法腐蝕液采用氫氟酸水溶液或緩沖氫氟酸水溶液，所述氫氟酸水溶液由氫氟酸和水組成，其中氫氟酸的質量濃度為2％～45％，所述緩沖氫氟酸水溶液由氫氟酸、氟化銨和水組成，其中氫氟酸的質量濃度為0.091％～12％。