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[發(fā)明專利]單晶銅鍵合絲的制備方法無效

專利信息
申請?zhí)枺?/td> 200810017812.1 申請日: 2008-03-19
公開(公告)號: CN101524721A 公開(公告)日: 2009-09-09
發(fā)明(設計)人: 丁雨田;曹軍;胡勇;許廣濟;寇生中 申請(專利權)人: 蘭州理工大學
主分類號: B21C1/00 分類號: B21C1/00;C22F1/08;C22B15/14;B22D27/04;C30B29/02;C30B11/00
代理公司: 蘭州振華專利代理有限責任公司 代理人: 董 斌
地址: 730050*** 國省代碼: 甘肅;62
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摘要:
搜索關鍵詞: 單晶銅鍵合絲 制備 方法
【說明書】:

技術領域

發(fā)明涉及單晶銅材料的加工制備。

背景技術

引線鍵合以工藝實現(xiàn)簡單、成本低廉、適用多種封裝形式而在芯片連接方式中占主導地位,目前所有封裝管腳的90%以上都采用引線鍵合連接。銅鍵合絲與金絲、鋁絲相比具有優(yōu)良的機械性能、電學性能、熱學性能和低的金屬間化合物增長,在很大程度上提高了芯片頻率和可靠性,適應了低成本、細間距、高引出端元器件封裝的發(fā)展。此外晶片鋁金屬化向銅金屬化的轉變,使得對于高速器件的新型封裝設計來說,選擇短銅絲鍵合并且間距小于50μm的銅焊區(qū)將在封裝市場上成為倒裝焊接工藝強有力的竟爭對手。并且通過采用新工藝如新型EFO(Electronic?flame?off)電子滅火、OP2(Oxidation?prevention?process)抗氧化工藝和MRP(Modulus?Reduction?Process)降低模量工藝的改進后,使銅絲鍵合比金絲鍵合更牢固、更穩(wěn)定,尤其在大批量的高引出端、細間距、小焊區(qū)的IC封裝工藝中,成為替代金絲的最佳鍵合材料。但對于銅鍵合絲的坯料無氧銅桿,由于其內(nèi)部組織中存在大量晶界,在拉制超細微絲時,在晶界會出現(xiàn)斷裂,將其加工至0.03mm以下且保證具有良好的性能一致性將存在較多困難。因此,晶界問題成為妨害銅材電學性能及鍵合絲性能提高的主要因素。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供一種單晶銅鍵合絲的制備方法。

本發(fā)明是一種單晶銅鍵合絲的制備方法,所述的單晶銅鍵合絲的原材料為銅,其步驟為:

A、采用真空度為10-2~10-4MPa高真空爐將純度高于99.995%高純銅熔化,升溫到1100~1180℃,精煉60~120分鐘,整個熔煉過程采用純度為過于99.99%高純氬氣保護,并采用定向凝固方式拉制4~8mm單晶銅桿;

B、將拉制成的高純度單晶銅桿冷加工至0.95~1.102mm,每道次拉拔加工率為15~25%,拉拔速度控制在40~60m/min;然后分為47~70個道次,采用每道次加工率為7.59~17.82%將單晶銅桿拉制0.020~0.05mm;拉制速度為400~600m/min;0.5mm以上模具表面粗糙度Ra為0.025,0.5mm以下模具表面粗糙度Ra高于0.025;保持拉絲塔輪、導向輪、收線盤等部件高度光潔,表面粗糙度Ra高于0.025;拉絲潤滑劑采用水溶性潤滑劑,濃度為0.4~0.8%,拉絲時溫度為35~45℃;

C、將上步驟拉制成的單晶銅鍵合絲表面清洗采用超聲波清洗,清洗介質(zhì)采用無水酒精,超聲波功率40~80W,頻率20~40KHz;

D、將清洗后的單晶銅鍵合絲在退火復繞設備上進行熱處理,熱處理過程中采用H2+Ar2保護,其熱處理溫度為410~425℃,熱處理時間為0.7~2.0s,保護氣體流量為H20.3~0.6L/min、Ar20.4~0.65L/min;退火復繞時的張力為0.6~2.8g;

E、將熱處理后的單晶銅鍵合絲采用真空吸塑包裝,真空度為10-3~10-4Mpa。

本發(fā)明的有益效果是:所述的單晶銅鍵合絲及其制備工藝,其采用的純度高于99.995%高純單晶銅桿作為坯料,并采用真空熔煉氬氣保護熱型連鑄設備進行單晶銅桿生產(chǎn)。單晶銅材具有致密的凝固組織,消除了橫向晶界,避免了縮孔、氣孔等鑄造缺陷,使得其塑性加工性能、機械性能、電學性能等都明顯高于普通無氧銅,克服了傳統(tǒng)銅線拉絲加工的斷頭多、質(zhì)量低和生產(chǎn)率低的缺點,能夠制備出線徑小至0.015mm,高強度、高延伸率、性能穩(wěn)定的電子封裝用鍵合絲。

該鍵合絲用于高集成度和小型化IC元器件鍵合引線,還可用于大功率分離器件的引線鍵合,并且可代替鍵合金絲用于一般電子元器件的引線鍵合等。

具體實施方式

實施例1,單晶銅鍵合絲的具體制備方法為:

①采用高真空爐(真空度達到10-2~10-4MPa)將高純銅(純度為99.995%)熔化,而后升溫1100℃,精煉60分鐘,整個熔煉過程采用高純氬氣(99.9%)保護,采用定向凝固方式拉制8mm單晶銅桿;

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