[發明專利]一種控制高強馬氏體不銹鋼中逆變奧氏體含量的方法

無效

• 申請號: 200810013227.4
• 申請日: 2008-09-17
• 公開（公告）號: CN101532079A
• 公開（公告）日: 2009-09-16
• 發明（設計）人: 王培;康秀紅;李殿中;夏立軍;陸善平;李依依
• 申請（專利權）人: 中國科學院金屬研究所
• 主分類號: C21D11/00
• 分類號: C21D11/00;C21D1/28;C21D1/18
• 代理公司: 沈陽科苑專利商標代理有限公司
• 代理人: 張志偉

1、一種控制高強馬氏體不銹鋼中逆變奧氏體含量的方法，其特征是：通過對馬氏體不銹鋼熱處理的回火溫度、回火次數和一次回火終冷溫度的控制達到控制逆變奧氏體含量。

2、根據權利要求1所述的控制高強馬氏體不銹鋼中逆變奧氏體含量的方法，其特征在于：對正火后的OCr13Ni4～6Mo型馬氏體不銹鋼進行600～680℃一次回火，保溫時間按鑄件有效壁厚每毫米保溫2～10min設定，得到體積分數0<Vγ<6％的逆變奧氏體。

3、根據權利要求1所述的控制高強馬氏體不銹鋼中逆變奧氏體含量的方法，其特征在于：對正火后的OCr13Ni4～6Mo型馬氏體不銹鋼進行600～680℃一次回火后且冷至60℃以下，進行560～620℃二次回火，回火保溫時間按鑄件有效壁厚每毫米保溫2～10min設定，得到體積分數10％<Vγ≤25％的逆變奧氏體。

4、根據權利要求1所述的控制高強馬氏體不銹鋼中逆變奧氏體含量的方法，其特征在于：對正火后的OCr13Ni4～6Mo型馬氏體不銹鋼進行600～680℃一次回火后，冷至60～250℃之間，進行560～620℃二次回火，回火保溫時間按鑄件有效壁厚每毫米保溫2～10min設定，得到體積分數6％≤Vγ≤10％的逆變奧氏體。

5、根據權利要求1所述的控制高強馬氏體不銹鋼中逆變奧氏體含量的方法，其特征在于：OCr13Ni4～6Mo型馬氏體不銹鋼回火加熱速率為30～200℃/h，回火冷卻方式為自然空冷。

6、根據權利要求1所述的控制高強馬氏體不銹鋼中逆變奧氏體含量的方法，其特征在于：逆變奧氏體含量的測定是使用X射線衍射法測得的奧氏體的體積分數。