[發(fā)明專(zhuān)利]一種氮摻雜ZnO的受主激活方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810010103.0
• 申請(qǐng)日: 2008-01-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101236906A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-08-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 梁紅偉;孫景昌;杜國(guó)同;趙澗澤;邊繼明;胡禮中
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 大連理工大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/477
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/477
• 代理公司: 大連理工大學(xué)專(zhuān)利中心
• 代理人: 侯明遠(yuǎn)

1.一種氮摻雜的ZnO的受主激活方法，其特征是步驟如下：利用射頻等離體設(shè)備來(lái)對(duì)N摻雜ZnO薄膜進(jìn)行處理來(lái)激活N受主雜質(zhì)從而獲得高質(zhì)量p型ZnO薄膜的方法；將N摻雜的ZnO在氮的氧化物的等離子體氣氛中進(jìn)行高溫退火處理，從而實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的p型氮摻雜的ZnO的制備；本發(fā)明對(duì)不同氮摻雜濃度的ZnO退火，通過(guò)調(diào)節(jié)氮的氧化物氣體源量、射頻等離體電源功率、退火溫度及退火時(shí)間來(lái)實(shí)現(xiàn)不同摻雜濃度的p型ZnO薄膜的制備；

(1)保持低溫生長(zhǎng)的氮摻雜的ZnO薄膜原位放置于襯底片托盤(pán)上；

(2)當(dāng)反應(yīng)室真空度達(dá)到10Pa以下時(shí)，即可啟動(dòng)反應(yīng)室的渦輪分子泵；反應(yīng)室的真空度達(dá)到3×10^-3pa時(shí)，停分子泵，準(zhǔn)備退火；

(3)通入氮的氧化物氣體，在真空度為10Pa～80Pa時(shí)，開(kāi)啟射頻等離子體電源，設(shè)定功率為100～450W，開(kāi)始等離子體啟輝放電；

(4)加熱襯底片托盤(pán)，升溫到500～800℃中某一溫度點(diǎn)，將襯底片進(jìn)行熱處理10～60分鐘；

(5)退火完成后，緩慢降溫到400℃以下時(shí)，關(guān)閉射頻電源，關(guān)閉氣體閥門(mén)，繼續(xù)緩慢降到室溫后即可取出樣品。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種氮摻雜的ZnO的受主激活方法，其特征是所說(shuō)的氮的氧化物是氧化亞氮(N₂O)、一氧化氮(NO)、二氧化氮(NO₂)、三氧化二氮(N₂O₃)、四氧化二氮(N₂O₄)和五氧化二氮(N₂O₅)的一種或幾種混合物。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氮摻雜的ZnO的受主激活方法，其特征是采用射頻等離子體發(fā)生器將氮的氧化物離化后，對(duì)氮摻雜的ZnO在高溫下處理。