[發(fā)明專利]高溫精細顆粒鋁加熱器

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810001060.X
• 申請日: 2008-01-18
• 公開（公告）號: CN101230451A
• 公開（公告）日: 2008-07-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 阿泊希·德塞;羅伯特·T·希拉哈拉;卡爾文·奧加遜
• 申請（專利權(quán)）人: 應用材料股份有限公司
• 主分類號: C23C16/00
• 分類號: C23C16/00;H01L21/683
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 徐金國

1.一種適合于使用半導體處理系統(tǒng)的襯底支架，所述襯底支架包括：

具有小于大約250μm的平均顆粒尺寸的鋁主體；

嵌入所述主體中的加熱元件；以及

通過完全穿透搭接焊接接頭連接到主體底部的柄軸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底支架，其特征在于，所述加熱元件還包括：

延伸入柄軸的芯。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底支架，其特征在于，還包括：

設(shè)置在穿過所述主體形成的豎插孔中的陶瓷導板。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底支架，其特征在于，所述主體還包括：

顆粒增強劑。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底支架，其特征在于，所述主體還包括：

鈦顆粒增強劑。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底支架，其特征在于，主體還包括：

大約0.03到大約0.1之間重量百分比的鈦顆粒增強劑。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底支架，其特征在于，所述主體是鑄造或鍛造的。

8.一種適合于使用半導體處理系統(tǒng)的襯底支架，所述襯底支架包括：

具有小于大約250μm的平均顆粒尺寸的軋制鋁主體；以及

設(shè)置在主體中的加熱元件。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的襯底支架，其特征在于，所述主體還包括：

其中具有機械加工的凹槽的6061-T651鍛制加工板，其中加熱元件設(shè)置在所述凹槽中。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的襯底支架，其特征在于，還包括：

通過完全穿透搭接焊接接頭連接到主體底部的柄軸。

11.一種用于制造適用于高溫襯底處理環(huán)境中的襯底支架的方法，所述方法包括：

選擇具有平均顆粒尺寸小于大約250μm的鋁主體，所述主體包括具有中心盲孔的上表面和相對的下表面；以及

搭接焊接管狀柄軸到所述主體下表面中形成的凹進處，其中柄軸的一邊形成犧牲背襯以形成焊縫根，并且其中設(shè)置在主體中的加熱元件的芯延伸到管中。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述選擇步驟還包括：

從包括具有平均顆粒尺寸大于大約250μm的多個鍛造主體中選擇平均顆粒尺寸小于大約250μm的鍛造主體。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，還包括：

鑄造所述主體。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述鑄造還包括：

由包含顆粒增強劑的鋁材料鑄造所述主體。

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述鑄造還包括：

由包含鈦顆粒增強劑的鋁材料鑄造所述主體。

16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述鑄造還包括：

由包含大約0.03到大約0.1之間重量百分比的鈦顆粒增強劑的鋁材料鑄造所述主體。

17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，還包括：

形成構(gòu)造為在形成所述主體的軋制鋁板中接受加熱元件的凹槽。

18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，還包括：

形成構(gòu)造為在形成所述主體的6061-T651鍛制鋁加工板中接受加熱元件的凹槽。