[發明專利]記憶卡的結構與其方法

無效

• 申請號: 200810000793.1
• 申請日: 2008-01-17
• 公開（公告）號: CN101231709A
• 公開（公告）日: 2008-07-30
• 發明（設計）人: 楊文焜;余俊輝;林志偉;周昭男
• 申請（專利權）人: 育霈科技股份有限公司
• 主分類號: G06K19/077
• 分類號: G06K19/077;H01L25/00;H01L25/18;H01L23/48;H01L21/50;H01L21/60
• 代理公司: 北京挺立專利事務所
• 代理人: 葉樹明

技術領域

本發明系有關一種記憶卡結構，特別是關于具有晶粒容納凹槽以配置晶粒之基底。

背景技術

在半導體裝置領域中，裝置之密度持續增加，且體積逐漸減小。高密度裝置之封裝或交互連接技術的需求亦日益增加，以符合上述情況。一般而言，在覆晶接合方法(flip-chip?attachmentmethod)中，焊錫凸塊數組系形成于晶粒表面上。焊錫凸塊之形成系利用焊錫合成材料通過錫球罩幕(solder?mask)，以產生所需焊錫凸塊之圖案。晶粒封裝之功能包含電源分配(powerdistribution)、訊號分配(signal?distribution)、散熱(heatdissipation)、保護及支撐等。由于半導體結構趨向復雜化，而一般傳統技術，例如導線架封裝(lead?frame?package)、軟性封裝(flex?package)、剛性封裝(rigid?package)技術，已無法達成于晶粒上產生具有高密度組件之小型晶粒。

與半導體同時發展的還有一種名為電子電路卡(electroniccircuit?card)的產品。記憶卡系應用于個人電腦、手機、個人數位助理(PDA)、數碼相機、數碼攝像機、隨身聽以及其它裝置上以儲存數據。隨著電子卡規格的發展也產生了許多不同種類的記憶卡。記憶卡較窄的一邊為一電子接頭。

記憶卡系一可坎入主裝置的延伸卡。典型的記憶卡可供高速讀取以及廣大的內存容量。近年來，記憶卡的容量已發展到以GB(Giga-Bytes)為單位。目前有眾多不同的記憶卡可供選擇。快閃記憶卡可藉由電子處理來清除。因此，閃存可以替代硬盤應用于攜帶型電腦中。快閃記憶卡被廣泛應用于各種裝置中以儲存與復制數據。

圖1提供了若干比較常見之記憶卡圖式。先前技術之缺點在于因為受到打線接合(wire?bonding)外形的限制，令其難以提供較薄的封裝。??采用打線接合堆棧(W/B?stacking)時，由于晶粒堆棧中間需要空間加上需要模具來保護芯片與電線，因此在提供較薄的封裝上有相當程度的困難。相關制程包含了模具灌模(膠)法(molding?injection)或液體印刷法(liquid?printing)。其引發了關于良率的問題。Micro?SD卡所需要的整體厚度為0.7mm+/-0.1mm。

因此，目前所需要的系具有可解決上述封裝厚度問題并擁有簡易制程之高階記憶卡結構。

發明內容

本發明之一目的系在于提供一種超薄及小尺寸(small?formfactor)的記憶卡。

本發明之另一目的系在于提供一種擁有簡易制程以及低成本方案的可靠產品。

記憶卡的結構包含了一上表面具有晶粒容納凹槽之基底、一通孔結構及形成于基底之布線。一第一晶粒配置于晶粒容納凹槽。一第一介電層形成于第一晶粒與基底之上。一第一重布層(re-distribution?layer，RDL)形成于第一介電層上，其中第一重布層系耦合至第一晶粒與布線。一第二介電層形成于第一重布層上。一第二晶粒配置于第二介電層之上。一第三介電層形成于第二介電層與第二晶粒上。一第二重布層形成于第三介電層上，其中第二重布層系耦合至第二晶粒與第一重布層。一第四介電層形成于第二重布層上。一第三晶粒形成于第四介電層之上并耦合至第二重布層。一第五介電層形成于第三晶粒周圍(當第三晶粒系采用覆晶形式(flip?chip?type)時，此步驟可略過)，并由一塑膠蓋罩住第一、第二及第三晶粒。

另外包含了被動組件(passive?device)形成于該第四介電層上。在一實施例中，??第三晶粒系由覆晶配置法(flip?chipconfiguration)所形成的。在另一實施例中，第三晶粒系連結于該第四介電層之上，而第三重布層系形成于第五介電層上并耦合至該第二重布層。

第一、第二、第三、第四及第五介電層其中之一包含一彈性介電層(elastic?dielectric?layer)。第一、第二、第三、第四及第五介電層其中之一包含一以硅介電(silicone?dielectric)為主的材質、苯環丁烯(benzo-cyclo-butene，BCB)或聚酰亞胺(polyimide，PI)。以硅介電為主的材質包含了硅氧烷聚合物(SINR)、硅氧化物、硅氮化物或其合成物。第一、第二、第三、第四及第五介電層其中之一包含一感光層(photosensitivelayer)。由第一及第二晶粒擴散出(fan?out)第一及第二重布層。

附圖說明

圖1系為根據先前技術之記憶卡結構之剖面圖。