[發(fā)明專利]具有改善的抗電痕性和耐腐蝕性的表面改性的電絕緣系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200780101092.0
• 申請(qǐng)日: 2007-10-08
• 公開（公告）號(hào): CN101821818A
• 公開（公告）日: 2010-09-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: S·克利福特;B·辛;A·克里夫達(dá);L·施米特;F·格魯特;V·施米德
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: ABB研究有限公司
• 主分類號(hào): H01B3/40
• 分類號(hào): H01B3/40;H01B19/04;B32B33/00
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 李進(jìn);李連濤

1.一種表面改性的電絕緣系統(tǒng)，其包括包含至少一種填料和任 選的其他添加劑的硬化或固化的含填料的合成聚合物組合物，其特征 在于所述合成聚合物組合物的表面通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 施用第一薄涂層涂布而改性，其中所述第一薄涂層的厚度為50納米 至50微米；和/或通過溶膠-凝膠技術(shù)施用第二薄涂層涂布而改性，其 中所述第二薄涂層的厚度為0.5微米至2毫米；且所述第一和第二薄 涂層均為熔點(diǎn)明顯高于所述含填料的合成聚合物組合物的熔點(diǎn)或降 解溫度的非導(dǎo)電性聚合物材料。

2.權(quán)利要求1的表面改性的電絕緣系統(tǒng)，其特征在于所述合成 的聚合物組合物的表面通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積施用第一薄 涂層和通過溶膠-凝膠技術(shù)施用第二薄涂層而改性，一者在另一者之 上。

3.權(quán)利要求1的表面改性的電絕緣系統(tǒng)，其特征在于所述合成 聚合物組合物的聚合物選自聚酯或聚烷基丙烯腈；或選自硬塑料聚合 物。

4.權(quán)利要求3的表面改性的電絕緣系統(tǒng)，其特征在于所述合成 聚合物組合物的聚合物選自聚甲基丙烯酸甲酯或選自聚氨酯或環(huán)氧 樹脂組合物。

5.權(quán)利要求3的表面改性的電絕緣系統(tǒng)，其特征在于所述合成 聚合物組合物為基于環(huán)脂族環(huán)氧樹脂化合物的環(huán)氧樹脂組合物。

6.權(quán)利要求1的表面改性的電絕緣系統(tǒng)，其特征在于基于所述 合成聚合物組合物的總重量計(jì)算，所述填料以60％重量至80％重量存 在于所述合成聚合物組合物中。

7.權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)的表面改性的電絕緣系統(tǒng)，其特征在于 所述合成聚合物組合物還含有選自潤(rùn)濕/分散劑、增韌劑、增塑劑、 抗氧化劑、吸光劑、聚硅氧烷、顏料、阻燃劑和纖維的添加劑。

8.權(quán)利要求1的表面改性的電絕緣系統(tǒng)，其特征在于所述第一 薄涂層通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積施用，其厚度為100nm至 30μm。

9.權(quán)利要求8的表面改性的電絕緣系統(tǒng)，其特征在于制備所述 第一薄涂層的原料為具有非極性基團(tuán)的揮發(fā)性化合物且選自有機(jī)硅 烷化合物、烷氧基原硅酸酯和有機(jī)氟化合物。

10.權(quán)利要求9的表面改性的電絕緣系統(tǒng)，其特征在于所述原料 選自六烷基二硅氧烷，原硅酸四烷基酯，或這些化合物的混合物。

11.權(quán)利要求10的表面改性的電絕緣系統(tǒng)，其特征在于所述原 料選自六甲基二硅氧烷或乙烯基三甲基硅烷、原硅酸四乙酯或這些化 合物的混合物。

12.權(quán)利要求10的表面改性的電絕緣系統(tǒng)，其特征在于所述原 料與選自于細(xì)硅石或細(xì)石英的細(xì)填料物質(zhì)混合，所述細(xì)填料物質(zhì)具有 95％重量的SiO₂含量且具有1μm至10μm的平均粒度。

13.權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)的表面改性的電絕緣系統(tǒng)，其特征在 于所述第二薄涂層通過溶膠-凝膠技術(shù)施用，其厚度為1.0μm至1mm。

14.權(quán)利要求13的表面改性的電絕緣系統(tǒng)，其特征在于所述第 二薄涂層由基于硅烷的溶膠-凝膠制成，其中所述硅烷選自烷氧基硅 烷和氟硅烷。

15.權(quán)利要求14的表面改性的電絕緣系統(tǒng)，其特征在于所述烷 氧基硅烷和氟硅烷選自式[R-Si(OR₁)₃]的化合物，其中R為另一(-OR₁)- 取代基或?yàn)橥榛虮蝗〈耐榛襌₁為(C_1-4)烷基。

16.權(quán)利要求14的表面改性的電絕緣系統(tǒng)，其特征在于所述烷 氧基硅烷和氟硅烷選自式[R-Si(OR₁)₃]的化合物，其中R為另一(-OR₁)- 取代基或?yàn)槿芜x被胺、環(huán)氧基、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、酚類殘基 或三聚氰胺殘基取代的(C₁-C₂₂)烷基，且R₁為(C_1-4)烷基。