[發明專利]可直接光限定的聚合物組合物及其方法無效
| 申請號: | 200780050794.0 | 申請日: | 2007-12-06 |
| 公開(公告)號: | CN101622289A | 公開(公告)日: | 2010-01-06 |
| 發明(設計)人: | E·埃爾切;A·貝爾;B·納普;W·戴門納;S·賈亞拉曼;J·金;H·額;R·R·普森科威拉科姆;R·拉維基蘭;L·F·羅茲;R·希克;W·張;X·吳;E·武內 | 申請(專利權)人: | 普羅米魯斯有限責任公司 |
| 主分類號: | C08F232/08 | 分類號: | C08F232/08;C08G61/04;G03F7/00 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 | 代理人: | 龍 淳 |
| 地址: | 美國俄*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 直接 限定 聚合物 組合 及其 方法 | ||
相關申請的交叉參考
本申請要求于2006年12月6日提交的美國臨時申請第60/873,201 號的優先權,在此將其全部內容并入本文作為參考。
技術領域
本發明主要涉及可直接光限定的(photodefinable)聚合物、包括 該聚合物的組合物、制造該聚合物和聚合物組合物的方法、該組合物 在形成膜、層和/或結構中的用途、以及包括通過使用該組合物形成的 膜、層或結構的微電子和/或光電子裝置。更具體地,本發明涉及包括 具有降冰片烯型重復單元的聚合物骨架的可光限定聚合物及其組合 物、制造該聚合物和組合物的方法、以及該聚合物組合物在微電子和 光電子應用中的用途。
背景技術
微電子和光電子工業已經成功地延長了制造微電子和光電子裝置 所需的材料和方法的使用壽命。但是,隨著這些裝置的復雜性和所需 性能的增加,這些成熟的材料和方法的問題正在變得越來越突出。因 此,有利的將是具有如下所述的新的材料和方法:其將滿足這些裝置 的未來改進型的需求,并提高現有裝置的產率并降低成本。
附圖說明
根據本發明的實施方式將在下文參考隨后的附圖而說明。
圖1是下文實施例P2所述的聚合物的百分比透射率相對于波長的 曲線圖。
圖2描繪了降冰片烯型聚合物內的受阻官能芳香側基(pendent group)的一方面功能的可能機理。
圖3是實施例P12的聚合物的動力學TGA。
圖4是下文實施例P7的聚合物的氧化誘導時間的圖。
圖5是下文實施例P8的聚合物的氧化誘導時間的圖。
圖6是說明四種聚合物組合物樣品的氧化誘導時間的差異的圖, 每種樣品具有所示的不同固化溫度。
具體實施方式
以下說明根據本發明的示例性實施方式。由于公開了這些實施方 式,這些示例性實施方式的各種修改、變更或變化對本領域的技術人 員來說將變得顯而易見。例如,對該技術人員可發生的是,可以將本 文公開的兩種或多種多環聚合物或聚合物組合物以適當的比例彼此混 合,以形成有利的聚合物組合物。應當理解到,所有這些依賴于本發 明教導的、并且通過這些教導對本領域做出貢獻的修改、變更或變化 均視為在本發明的范圍和精神之內。
下文公開了各種數值范圍和數值。由于這些范圍是連續的,它們 包括各個范圍的最小值、最大值以及其間的每一數值。而且,當范圍 是指整數時,它們包括最小整數值、最大整數值和其間的每個整數。 除非另外明確指出,本說明書和所附權利要求書中指定的各種數值范 圍和數值都是近似值,其反映出獲得這些數值時所遇到的測量的各種 不確定性,因此應當理解成在所有情況下均由術語“大約”修飾。
如本文所使用,術語“聚合物”是指由較小的分子(單體)構建 的大分子。而且,聚合物理解成具有由多個化學上關聯的重復單元(來 源于前述單體)組成的特征性鏈結構(或骨架)。再進一步,術語“聚 合物”將會理解成還包括來自引發劑、催化劑和合成這些聚合物時存 在的其他元素的殘余物,其中該殘余物理解成不與其共價結合。再進 一步,盡管在聚合后的提純處理中通常被除去,但這些殘余物和其他 元素通常與聚合物混合或共混,使得當聚合物在容器之間或者在溶劑 或分散介質之間轉移時,它們通常留在聚合物中。
如本文所使用,術語“聚合物組合物”是指聚合物和一種或多種 添加至聚合物中的其他材料,用來提供或改良聚合物組合物特定性能。 示例性的材料包括,但不限于,溶劑、抗氧化劑、光引發劑、光敏劑、 交聯部分、反應性稀釋劑、除酸劑、增粘劑、均化劑和類似材料。
如本文所使用,術語“聚環烯烴”、“聚環狀烯烴”和“降冰片 烯型”可以互換使用,并且是指可加成聚合的單體、或產生的重復單 元,包括至少一種例如以下結構A1或A2所示的降冰片烯部分:
根據本發明的實施方式所包括的最簡單的降冰片烯型或多環烯烴 單體是雙環單體,雙環[2.2.1]庚-2-烯,通常稱作降冰片烯。但是,如本 文所使用,術語降冰片烯型單體或重復單元將要理解成不僅是指降冰 片烯自身,還指任何取代的降冰片烯、或者其取代和未取代的高級環 狀衍生物,例如,以下所示的結構B中m大于零。
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