[發(fā)明專利]硅薄膜形成方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200780050112.6
• 申請日: 2007-10-29
• 公開（公告）號: CN101632153A
• 公開（公告）日: 2010-01-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 高橋英治
• 申請（專利權(quán)）人: 日新電機株式會社
• 主分類號: H01L21/205
• 分類號: H01L21/205;H01L21/336;H01L29/786;H05H1/46
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司
• 代理人: 張 鑫;胡 燁

1.一種硅薄膜形成方法，該方法是在配置于成膜室內(nèi)的基板上利用等離子體CVD法形成結(jié)晶硅薄膜的方法，其特征在于，包括：

氫結(jié)合工序，該氫結(jié)合工序中，在該基板上形成結(jié)晶硅薄膜之前在該成膜室內(nèi)形成含氫的氫結(jié)合處理用氣體的等離子體，將該基板的膜形成對象面暴露于該等離子體，使氫與該基板面結(jié)合；以及

硅薄膜形成工序，該硅薄膜形成工序中，在該氫結(jié)合工序后在所述成膜室內(nèi)形成含硅烷類氣體的結(jié)晶硅薄膜形成用氣體的等離子體，基于該等離子體在經(jīng)所述氫結(jié)合處理后的基板面形成結(jié)晶硅薄膜，

該氫結(jié)合工序中的氫結(jié)合處理用氣體的等離子體的形成以及該硅薄膜形成工序中的結(jié)晶硅薄膜形成用氣體的等離子體的形成分別通過對設(shè)置于所述成膜室內(nèi)的感應(yīng)耦合型天線施加高頻功率來形成，

該氫結(jié)合工序在等離子體電勢為30V以下、所述氫結(jié)合處理用氣體等離子體中的電子密度為1×10¹⁰個/cm³以上、所述氫結(jié)合處理用氣體等離子體的電子溫度為2.5eV以下的條件下實施。

2.如權(quán)利要求1所述的硅薄膜形成方法，其特征在于，

采用如下基板作為所述基板：該基板中，所述膜形成對象面是形成于基板主體上的薄膜晶體管用柵極絕緣膜的表面。

3.如權(quán)利要求2所述的硅薄膜形成方法，其特征在于，

所述柵極絕緣膜是含氮柵極絕緣膜。

4.如權(quán)利要求2或3所述的硅薄膜形成方法，其特征在于，

在60秒以下的時間內(nèi)實施所述氫結(jié)合工序。

5.如權(quán)利要求1～3中的任一項所述的硅薄膜形成方法，其特征在于，

在所述硅薄膜形成工序中形成多晶硅薄膜。

6.如權(quán)利要求1～3中的任一項所述的硅薄膜形成方法，其特征在于，

所述硅烷類氣體是甲硅烷(SiH₄)氣體。