[發(fā)明專利]晶體管器件和制造這一晶體管器件的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200780046404.2
• 申請日: 2007-12-10
• 公開（公告）號: CN101558497A
• 公開（公告）日: 2009-10-14
• 發(fā)明（設計）人: 塞巴斯蒂安·努汀克;吉爾貝托·庫拉托拉
• 申請（專利權）人: NXP股份有限公司
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權代理有限公司
• 代理人: 陳 源;張?zhí)焓?/td>

1.一種晶體管器件(10)，該晶體管器件(10)包括

襯底(11，14)；

在襯底(11，14)上沿著水平方向延伸的鰭(3，3A)；

第一種電導類型的源極區(qū)域(4)；

第二種電導類型的漏極區(qū)域(5)，其中第一種電導類型不同于第二種電導類型；

源極區(qū)域(4)和漏極區(qū)域(5)通過鰭連接；

鰭(3，3A)中介于源極區(qū)域(4)與漏極區(qū)域(5)之間的溝道區(qū)域(33)；

溝道區(qū)域(33)上的柵極絕緣體(6)；

柵極絕緣體(6)上的柵極結構(7，8)；

其中，在水平方向上，溝道區(qū)域(33)在源極區(qū)域(4)和漏極區(qū)域(5)之間延伸；

其中，柵極結構(7，8)是雙柵極結構；

其中，雙柵極結構包括至少部分沿著柵極絕緣體(6)的第一垂直表面定位的第一柵極部分(7)，并且包括至少部分沿著柵極絕緣體(6)的第二垂直表面定位的第二柵極部分(8)；

其中，第一柵極部分(7)的材料的功函數(shù)適合于提供N型隧道場效應晶體管的特性，并且第二柵極部分(8)的材料的功函數(shù)適合于提供P型隧道場效應晶體管的特性。

2.按照權利要求1所述的晶體管器件(10)，其中第一種電導類型與第二種電導類型相反。

3.按照權利要求1所述的晶體管器件(10)，適合于作為半導體晶體管器件。

4.按照權利要求3所述的晶體管器件(10)，適合于作為CMOS晶體管器件。

5.按照權利要求1所述的晶體管器件(10)，其中第一柵極部分(7)的材料不同于第二柵極部分(8)的材料。

6.按照權利要求1所述的晶體管器件(10)，其中由第一柵極部分(7)和第二柵極部分(8)組成的組中的至少一個是部分沿著柵極絕緣體(6)的水平表面定位的。

7.按照權利要求1所述的晶體管器件(10)，其中溝道區(qū)域(33)是制成鰭(3，3A)的半導體材料的本征部分。

8.按照權利要求1所述的晶體管器件(10)，形成為由邏輯電路和存儲電路組成的組中的一個。

9.按照權利要求1所述的晶體管器件(10)，其中源極區(qū)域(4)和漏極區(qū)域(5)在水平方向上位于同一個高度層。

10.按照權利要求1所述的晶體管器件(10)，其中溝道區(qū)域(33)、源極區(qū)域(4)和漏極區(qū)域(5)沿著水平方向橫向相鄰。

11.一種制造晶體管器件(10)的方法，該方法包括：

在襯底(11，14)上形成沿著水平方向延伸的鰭(3，3A)；

形成第一種電導類型的源極區(qū)域(4)；

形成第二種電導類型的漏極區(qū)域(5)，其中第一種電導類型不同于第二種電導類型；

源極區(qū)域(4)和漏極區(qū)域(5)通過鰭連接；

在鰭(3，3A)中在源極區(qū)域(4)與漏極區(qū)域(5)之間形成溝道區(qū)域(33)；

在溝道區(qū)域(33)上形成柵極絕緣體(6)；

在柵極絕緣體(6)上形成柵極結構(7，8)；

形成要沿著水平方向成一條直線的源極區(qū)域(4)、溝道區(qū)域(33)和漏極區(qū)域(5)；

其中，柵極結構(7，8)的第一柵極部分(7)是通過進行第一定向沉積處理至少部分沿著柵極絕緣體(6)的第一垂直表面延伸來有選擇地形成的，和/或柵極結構(7，8)的第二柵極部分(8)是通過進行第二定向沉積處理至少部分沿著柵極絕緣體(6)的第二垂直表面延伸來有選擇地形成的；

其中，第一柵極部分(7)的材料的功函數(shù)適合于提供N型隧道場效應晶體管的特性，并且第二柵極部分(8)的材料的功函數(shù)適合于提供P型隧道場效應晶體管的特性。

12.按照權利要求11所述的方法，其中晶體管器件(10)是基于絕緣體上硅襯底(11，14，13)來制造的。

13.按照權利要求11所述的方法，其中源極區(qū)域(4)是在用第一掩模層(M1)覆蓋漏極區(qū)域(5)的同時通過用第一種電導類型的摻雜劑對鰭(3，3A)的相應部分進行摻雜來形成的，和/或漏極區(qū)域(5)是在用第二掩模層(M2)覆蓋源極區(qū)域(4)的同時通過用第二種電導類型的摻雜劑對鰭(3，3A)的相應部分進行摻雜來形成的。