[發明專利]用于摻雜太陽能電池制造中使用的化合物層的工藝

無效

• 申請號: 200780031806.5
• 申請日: 2007-07-26
• 公開（公告）號: CN101506991A
• 公開（公告）日: 2009-08-12
• 發明（設計）人: B·巴索爾
• 申請（專利權）人: 索羅能源公司
• 主分類號: H01L31/00
• 分類號: H01L31/00
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 李 帆

1.制備用于太陽能電池的摻雜的IBIIIAVIA族吸收層的方法，該 方法包括：

形成金屬堆疊，形成金屬堆疊的步驟包括如下步驟：

使用一種或多種IB族鍍覆溶液電鍍至少一層IB族材料，和

使用一種或多種IIIA族鍍覆溶液電沉積至少一層IIIA族材 料，以及

使金屬堆疊與至少一種VIA族材料反應，

其中一種或多種IB族鍍覆溶液和一種或多種IIIA族鍍覆溶液各 自含有一定濃度的堿金屬，所述堿金屬選自Na、K和Li。

2.根據權利要求1的方法，其中IB族材料是Cu，至少一層IIIA 族材料是包括In層和Ga層的多層。

3.根據權利要求2的方法，其中電鍍和電沉積步驟形成選自如下 的金屬堆疊：Cu/Ga/In、Cu/Ga/Cu/In、Ga/Cu/In、In/Cu/Ga、Cu/In/Ga、 In/Cu/Ga/Cu、In/Cu/Ga/In、In/Cu/In/Ga、In/Cu/Ga/In/Cu、In /Cu/In/Ga/Cu、Ga/Cu/In/Cu、Ga/Cu/In/Ga、Ga/Cu/Ga/In、 Ga/Cu/In/Ga/Cu、Ga/Cu/Ga/In/Cu、Ga/In/Cu、Ga/In/Cu/Ga、 Ga/In/Cu/In、Ga/In/Cu/Ga/Cu、Ga/In/Cu/In/Cu、Ga/In/Ga/Cu、 In/Ga/Cu、In/Ga/Cu/In、In/Ga/Cu/Ga/Cu和In/Ga/Cu/In/Cu。

4.根據權利要求3的方法，其中堿金屬的濃度為500ppm-2M。

5.根據權利要求1的方法，還包括使用Se鍍覆溶液在金屬堆疊上 電沉積Se層由此形成前體層的步驟。

6.權利要求5的方法，其中Se鍍覆溶液包含一定量的選自Na、K 和Li的堿金屬。

7.根據權利要求6的方法，其中堿金屬的量為500ppm-2M。

8.根據權利要求1的方法，其中金屬堆疊含有至少10¹⁹原子/cc 的堿金屬。

9.根據權利要求6的方法，其中前體層含有至少10¹⁹原子/cc的 堿金屬。

10.制備用于太陽能電池的摻雜的IBIIIAVIA吸收層的方法，該方 法包含：

形成金屬堆疊，形成金屬堆疊的步驟包括如下步驟：

使用第一鍍覆溶液電鍍至少一個金屬層，所述金屬層包括 Cu、以及Ga與In中的至少一種，和

使用第二鍍覆溶液電沉積至少一層膜，所述膜包括Ga和In 中的至少一種，以及

使金屬堆疊與至少一種VIA族材料反應，

其中第一鍍覆溶液和第二鍍覆溶液各自含有一定濃度的堿金屬， 所述堿金屬選自Na、K和Li。

11.根據權利要求10的方法，其中堿金屬的濃度為500ppm-2M。

12.根據權利要求10的方法，還包括使用Se鍍覆溶液在金屬堆疊 上電沉積Se層由此形成前體層的步驟。

13.根據權利要求12的方法，其中Se鍍覆溶液包含一定量的選自 Na、K和Li的堿金屬。

14.根據權利要求13的方法，其中堿金屬的量為500ppm-2M。

15.根據權利要求13的方法，其中前體層含有至少10¹⁹原子/cc 的堿金屬。

16.根據權利要求10的方法，其中金屬堆疊含有至少10¹⁹原子/cc 的堿金屬。