[發明專利]用于介電膜的提高速率的化學機械拋光組合物

無效

• 申請號: 200780027114.3
• 申請日: 2007-07-12
• 公開（公告）號: CN101490203A
• 公開（公告）日: 2009-07-22
• 發明（設計）人: 羅伯特·瓦卡西;本杰明·拜爾;陳湛;杰弗里·張伯倫
• 申請（專利權）人: 卡伯特微電子公司
• 主分類號: C09K3/14
• 分類號: C09K3/14
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 宋 莉

1.一種化學機械拋光組合物，其基本上由以下物質組成：

(a)二氧化硅，其具有10nm至40nm的平均初級粒徑；

(b)氧化劑，其選自過氧化氫、脲過氧化氫、過碳酸鹽、過氧化苯甲酰、過乙酸、過氧化鈉、二叔丁基過氧化物、單過硫酸鹽、二過硫酸鹽、硝酸鹽、鐵(III)化合物、及其組合；

(c)季銨化合物，其包含具有結構R₁R₂R₃R₄N⁺的陽離子，其中R₁、R₂、R₃及R₄獨立地選自C₂-C₆烷基及C₇-C₁₂芳烷基；及

(d)水，

其中該拋光組合物具有1至5的pH值。

2.權利要求1的拋光組合物，其中該二氧化硅為縮聚二氧化硅。

3.權利要求2的拋光組合物，其中該二氧化硅以0.1重量％至10重量％的量存在。

4.權利要求3的拋光組合物，其中該二氧化硅以0.5重量％至8重量％的量存在。

5.權利要求1的拋光組合物，其中該氧化劑為過氧化氫與鐵(III)化合物的組合。

6.權利要求5的拋光組合物，其中該鐵(III)化合物為硝酸鐵。

7.權利要求6的拋光組合物，其中該過氧化氫以1重量％至10重量％的量存在，且該硝酸鐵以0.1ppm至100ppm的量存在。

8.權利要求1的拋光組合物，其中該季銨化合物以100ppm至5000ppm的量存在。

9.權利要求8的拋光組合物，其中該季銨化合物包含選自四乙基銨、四丙基銨、四丁基銨、及四戊基銨的陽離子。

10.一種化學機械拋光基板的方法，該方法包括：

(i)使基板與拋光墊及化學機械拋光組合物相接觸，該化學機械拋光組合物基本上由以下物質組成：

(a)二氧化硅，其具有10nm至40nm的平均初級粒徑；

(b)氧化劑，其選自過氧化氫、脲過氧化氫、過碳酸鹽、過氧化苯甲酰、過乙酸、過氧化鈉、二叔丁基過氧化物、單過硫酸鹽、二過硫酸鹽、硝酸鹽、鐵(III)化合物、及其組合；

(c)季銨化合物，其包含具有結構R₁R₂R₃R₄N⁺的陽離子，其中R₁、R₂、R₃及R₄獨立地選自C₂-C₆烷基及C₇-C₁₂芳烷基；及

(d)水，

其中該拋光組合物具有1至5的pH值，

(ii)相對于該基板移動該拋光墊，其間具有該化學機械拋光組合物，及

(iii)磨除該基板的至少一部分以拋光該基板。

11.權利要求10的方法，其中該二氧化硅為縮聚二氧化硅。

12.權利要求11的方法，其中該二氧化硅以0.1重量％至10重量％的量存在。

13.權利要求12的方法，其中該二氧化硅以0.5重量％至8重量％的量存在。

14.權利要求10的方法，其中該氧化劑為過氧化氫與鐵(III)化合物的組合。

15.權利要求14的方法，其中該鐵(III)化合物為硝酸鐵。

16.權利要求15的方法，其中該過氧化氫以0.1重量％至10重量％的量存在，且該硝酸鐵以1ppm至100ppm的量存在。

17.權利要求10的方法，其中該季銨化合物以100ppm至5000ppm的量存在。

18.權利要求17的方法，其中該季銨化合物包含選自四乙基銨、四丙基銨、四丁基銨、及四戊基銨的陽離子。

19.權利要求10的方法，其中該基板包含氧化硅。

20.權利要求19的方法，其中該基板進一步包含選自鎢、銅、鉭、氮化鉭、鋁、鈦、氮化鈦、及其組合的金屬。