[發(fā)明專利]磁頭用基板、磁頭以及記錄媒體驅(qū)動(dòng)裝置無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200780015301.X | 申請(qǐng)日: | 2007-02-26 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101432806A | 公開(kāi)(公告)日: | 2009-05-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 須惠敏幸;中原正博;源通拓哉 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 京瓷株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | G11B5/60 | 分類號(hào): | G11B5/60;G11B5/39;C04B35/10;G11B21/21;G11B5/31 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 | 代理人: | 李香蘭 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 磁頭 用基板 以及 記錄 媒體 驅(qū)動(dòng) 裝置 | ||
1.一種磁頭用基板,
是由包含有質(zhì)量比在35%以上,60%以下的氧化鋁、質(zhì)量比40%以上,65%以下的導(dǎo)電性化合物的燒結(jié)體所構(gòu)成;
上述導(dǎo)電性化合物,是從鎢的炭化物、氮化物以及炭氮化物中選擇的至少一種;
上述燒結(jié)體的最大結(jié)晶粒徑在4μm以下(0μm除外)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所記載的磁頭用基板,上述燒結(jié)體,平均結(jié)晶粒徑在1μm以下(0μm除外)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所記載的磁頭用基板,上述氧化鋁,平均結(jié)晶粒徑在1μm以下(0μm除外)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所記載的磁頭用基板,上述導(dǎo)電性化合物,是鎢的炭化物。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所記載的磁頭用基板,上述導(dǎo)電性化合物,平均結(jié)晶粒徑在10nm(0.01μm)以上,1μm以下。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所記載的磁頭用基板,從電磁變換元件所形成的主面至深度1mm的領(lǐng)域,在與前述主面平行的面中,上述導(dǎo)電性化合物的結(jié)晶粒子的分布密度在5×105個(gè)/mm2以上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所記載的磁頭用基板,前述導(dǎo)電性化合物的結(jié)晶粒子,包含有楔形形狀的粒子。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所記載的磁頭用基板,前述燒結(jié)體,熱傳導(dǎo)率在30W/(m·k)以上。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所記載的磁頭用基板,前述燒結(jié)體,抗折強(qiáng)度在700MPa以上。
10.一種磁頭,具備滑動(dòng)器、電磁變換元件
上述滑動(dòng)器,由包含有質(zhì)量比在35%以上,60%以下的氧化鋁、質(zhì)量比40%以上,65%以下的導(dǎo)電性化合物的燒結(jié)體所構(gòu)成;
上述導(dǎo)電性化合物,是從鎢的炭化物、氮化物以及炭氮化物中選擇的至少一種;
上述燒結(jié)體的最大結(jié)晶粒徑在4μm以下(0μm除外)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所記載的磁頭,上述燒結(jié)體,平均結(jié)晶粒徑在1μm以下(0μm除外)。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所記載的磁頭,上述氧化鋁,平均結(jié)晶粒徑在1μm以下(0μm除外)。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所記載的磁頭,上述導(dǎo)電性化合物,是鎢的炭化物。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所記載的磁頭,上述導(dǎo)電性化合物,平均結(jié)晶粒徑在10nm(0.01μm)以上,1μm以下。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所記載的磁頭,從上述滑動(dòng)器的電磁變換元件所形成的端面至深度1mm的領(lǐng)域,在與前述端面平行的面中,上述導(dǎo)電性化合物的結(jié)晶粒子的分布密度在5*105個(gè)/mm2以上。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所記載的磁頭,前述導(dǎo)電性化合物的結(jié)晶粒子,包含有楔形形狀的粒子。
17.根據(jù)權(quán)利要求10所記載的磁頭,前述燒結(jié)體,熱傳導(dǎo)率在30W/(m·k)以上。
18.根據(jù)權(quán)利要求10所記載的磁頭,前述燒結(jié)體,抗折強(qiáng)度在700MPa以上。
19.根據(jù)權(quán)利要求10所記載的磁頭,上述滑動(dòng)器,具有浮上面、以及導(dǎo)入空氣的凹部;
前述凹部,表面的算術(shù)平均高Ra在20nm以下。
20.一種記錄媒體驅(qū)動(dòng)裝置,具備:
權(quán)利要求10至19的任意一項(xiàng)所記載的磁頭;
具有通過(guò)前述磁頭進(jìn)行信息記錄以及再生的磁記錄層的記錄媒體;
以及驅(qū)動(dòng)前述記錄媒體的馬達(dá)。
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