[實用新型]一種用于硅片異丙醇干燥法中的異丙醇供應裝置有效
| 申請號： | 200720190356.1 | 申請日： | 2007-11-26 |
| 公開（公告）號： | CN201122584Y | 公開（公告）日： | 2008-09-24 |
| 發明（設計）人： | 閻志瑞;庫黎明;張國棟;盛芳毓;索思卓;葛鐘 | 申請（專利權）人： | 北京有色金屬研究總院;有研半導體材料股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/00 | 分類號： | H01L21/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京北新智誠知識產權代理有限公司 | 代理人： | 郭佩蘭 |
| 地址： | 10008*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 硅片 異丙醇 干燥 中的 供應 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于硅片異丙醇干燥法中的異丙醇供應裝置，其特征在于：它包括：閥門組；氮氣供應管路；異丙醇吸附、釋放裝置；所述的閥門組、及氮氣供應管路為并聯安裝的兩條管路及閥門，且在其中一條氮氣管路中串接一個文丘里，在文丘里側壁接一條異丙醇供應管路，在文丘里與干燥槽之間接一異丙醇吸附、釋放裝置。
2.按照權利要求書1所述的硅片異丙醇干燥法中的異丙醇供應裝置，其特征在于：所述的異丙醇吸附、釋放裝置由兩端的連接頭、外殼及殼內的填充物組成。
3.按照權利要求書1或2所述的硅片異丙醇干燥法中的異丙醇供應裝置，其特征在于：所述的外殼內的填充物為由全氟代烷氧乙烯或超高分子聚乙烯制成的多孔纖維狀吸附劑。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于北京有色金屬研究總院;有研半導體材料股份有限公司，未經北京有色金屬研究總院;有研半導體材料股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200720190356.1/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
