[實(shí)用新型]一種防止硅片在生長多晶過程中產(chǎn)生崩邊的石英舟

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200720190343.4
• 申請(qǐng)日: 2007-11-23
• 公開（公告）號(hào): CN201128778Y
• 公開（公告）日: 2008-10-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 萬關(guān)良;王喆;徐繼平;王輝;陸小勇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京有色金屬研究總院;有研半導(dǎo)體材料股份有限公司
• 主分類號(hào): C30B25/02
• 分類號(hào): C30B25/02;C30B29/06
• 代理公司: 北京北新智誠知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 郭佩蘭

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種防止硅片在生長多晶過程中產(chǎn)生崩邊的石英舟

技術(shù)背景

CVD(化學(xué)氣相沉積)工藝是半導(dǎo)體材料和集成電路生產(chǎn)加工中不可缺少的重要工藝之一。硅片在CVD加工過程中離不開石英舟，石英舟作為載體，是爐內(nèi)與硅片相接觸的唯一固體材料。而CVD工藝中產(chǎn)生硅片崩邊最多的工藝是多晶生長工藝。為了減少CVD工藝的崩邊，人們采用了很多措施，如全自動(dòng)倒片，石英舟進(jìn)出爐速度可調(diào)并自動(dòng)控制，改進(jìn)石英舟構(gòu)造等，由于石英舟的幾何形狀和表面情況對(duì)硅片的崩邊影響很大。因此，有必要提供一種防止硅片在生長多晶過程中產(chǎn)生崩邊的石英舟。

發(fā)明內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的是提供一種防止硅片在生長多晶過程中產(chǎn)生崩邊的石英舟，該石英舟的結(jié)構(gòu)簡單、緊湊，使用方便。

為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案：這種防止硅片在生長多晶過程中產(chǎn)生崩邊的石英舟，它包括：石英舟架，石英舟定位棒，石英舟定位管，上料棒，其特征在于：石英舟上料棒的外面，套一個(gè)石英護(hù)管，石英護(hù)管的直徑較上料棒大，石英護(hù)管上開槽，開槽的位置為上料棒開槽的上方，且垂直于上料棒的軸線。

所述的石英護(hù)管的直徑可較上料棒大1-5mm。

本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是：因在上料棒上增加了護(hù)管，使上料棒和其上方的護(hù)管較原來增加了硅片與石英舟相近的面積，相近處產(chǎn)生的留層使得該處的生長速率較硅片的其他部分的生長速率慢，即該處的多晶硅的厚度較硅片的其它部分的多晶硅的厚度薄，多晶越薄產(chǎn)生的硅片的崩邊越少，提高了產(chǎn)品收率。

附圖說明

圖1：為本實(shí)用新型提供的一種石英舟的主視圖

圖2：為圖1的側(cè)視圖

圖3：為圖1中上料棒和護(hù)管配合的示意圖

圖4：為圖3的剖視圖

圖1、圖2、圖3、圖4中，3為石英舟架，4為石英舟實(shí)心定位棒，2為石英舟定位管，在石英舟架的上方為石英上料棒1，5為套在上料棒外面的石英護(hù)管，石英護(hù)管上開槽5-1，開槽的位置為上料棒開槽的上方，且垂直于上料棒的軸線。可以做成護(hù)管與棒的下部連在一起。

由于我們?cè)O(shè)計(jì)的石英舟在上料棒的上面加了石英護(hù)管，造成了硅片與石英舟相接觸部分的生長速率較硅片的其它部分的生長速率不同。

由于圖中的上料棒和其上方的護(hù)管較原來增加了硅片與石英舟相近的面積，相近處產(chǎn)生的留層使得該處的生長速率較硅片的其他部分的生長速率慢，即該處的多晶硅的厚度較硅片的其它部分的多晶硅的厚度薄，多晶越薄產(chǎn)生的硅片的崩邊越少。

我們?cè)O(shè)計(jì)的石英舟減少了硅片在生長多晶硅時(shí)的崩邊，提高了產(chǎn)品收率。

實(shí)施例1

使用以前的石英舟生產(chǎn)多晶硅片時(shí)，其崩邊的不合格率為：1.7％，而現(xiàn)在，不合格率平均為0.5％。該石英舟生產(chǎn)的產(chǎn)品的技術(shù)規(guī)范號(hào)包括ZW-20-1；GLP-39-1；ON-01-05等。