[實用新型]發(fā)光半導體組件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200720177043.2 | 申請日: | 2007-09-07 |
| 公開(公告)號: | CN201171049Y | 公開(公告)日: | 2008-12-24 |
| 發(fā)明(設計)人: | 趙自皓;陳群鵬 | 申請(專利權)人: | 億光電子工業(yè)股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L25/00 | 分類號: | H01L25/00;H01L25/075;H01L23/367;H01L23/60 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所 | 代理人: | 余明偉 |
| 地址: | 中國臺灣臺北縣*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發(fā)光 半導體 組件 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種發(fā)光半導體組件,特別涉及一種具有紅、綠、黃(RGB)三色芯片混光的發(fā)光半導體組件。
背景技術
發(fā)光半導體組件具有低耗電量、低發(fā)熱量、操作壽命長、耐撞擊、體積小、反應速度快、無汞以及可發(fā)出穩(wěn)定波長的色光等良好光電特性,隨著光電科技的進步,發(fā)光半導體組件在提升發(fā)光效率、使用壽命以及亮度等方面已有長足的進步,已被視為新一代光源的較佳選擇之一。
以白光發(fā)光二極管(Light?Emitting?diode;LED)組件為例,傳統(tǒng)的封裝設計是采用焊線(Wirebonding)來進行芯片的串接。然而因工藝上的限制,芯片與芯片之間必須預留焊線距離,因而造成混光不均勻的現(xiàn)象,以及偏光或偏色的問題。再者芯片的串接設計,通常存在有逆向偏壓過大的問題,而需要在發(fā)光二極管組件封裝結構邊側額外地增加逆向電流的保護設計,例如在發(fā)光二極管組件模塊端外緣設置km齊納二極管(Zener?diode)等靜電(Electrostatic?discharge;EDS)防護組件,也因此造成封裝結構尺寸大幅增加,而限制了芯片矩陣的構裝數(shù)量。
因此有需要提供一種結構簡單、封裝尺寸較小、相對混光功率較佳的高功率發(fā)光半導體組件。
實用新型內容
本實用新型的目的在于,提供一種結構簡單、封裝尺寸小的發(fā)光半導體組件。
本實用新型采用如下技術方案:
一種發(fā)光半導體組件,包括:封裝基板(Submount)、多個覆晶接合芯片(Flip?Chip)、導熱基板以及絕緣板材。其中這些覆晶接合芯片固定并導電連結于封裝基板上。導熱基板具有一個突出部用以承載封裝基板。絕緣板材具有一個開口套接于突出部之中,且具有多個接點與封裝基板導電連接。
本實用新型采用覆晶接合技術對發(fā)光半導體芯片進行封裝,取代現(xiàn)有焊線工藝的多芯片發(fā)光半導體封裝技術。不但有效地縮短了芯片排列的間距,而且提升了發(fā)光半導體芯片之間的混光效果。此外,通過高導熱基板與電路分離的設計,更可提高封裝基板單位面積中芯片的矩陣數(shù)目(容量)。即使為了達到更高功率的混光需求,而在封裝基板上設置靜電防護組件,也不會造成封裝結構尺寸顯著增加,大幅度提高了產(chǎn)品的可靠度。
以下結合附圖及實施例進一步說明本發(fā)明。
附圖說明
圖1為本實用新型的一實施例結構分解示意圖;
圖2為根據(jù)圖1所示的發(fā)光二極管組件的結構剖面圖;
圖3為圖1所示的發(fā)光二極管組件的結構俯視圖;
圖4為本實用新型的另一實施例結構剖面示意圖。
標號說明
100:發(fā)光二極管組件?????101:封裝基板
102:發(fā)光二極管芯片?????103:導熱基板
104:絕緣板材???????????105:突出部
106:開口???????????????107:接點
108:導線???????????????109:焊墊
110:內連線?????????????111:焊墊
112:外部電子組件???????113:混光光杯
114:反射鏡?????????????115:凸塊
200:發(fā)光二極管組件?????215:發(fā)光二極管芯片
216:焊線???????????????B:藍色發(fā)光二極管芯片
G:綠色發(fā)光二極管芯片???R:紅色發(fā)光二極管芯片
具體實施方式
以下結合附圖及實施例進一步說明本實用新型。但值得注意的是,以下所提供的技術特征也適用于其它發(fā)光半導體組件,例如高功率發(fā)光二極管芯片或雷射二極管芯片等。
請參照圖1和圖2,圖1是根據(jù)本創(chuàng)作的一較佳實施例所繪制的發(fā)光二極管組件100的結構分解圖。圖2是根據(jù)圖1所繪制的發(fā)光二極管組件100的結構剖面圖。發(fā)光半導體組件100包括:封裝基板101、多個覆晶接合的發(fā)光二極管芯片102、導熱基板103以及絕緣板材104。
這些發(fā)光二極管芯片102是通過覆晶接合工藝固定并導電連結于封裝基板101上。優(yōu)選的是,這些發(fā)光二極管芯片102以對稱排列的方式固定并導電連接于封裝基板101上。在本實施例之中,發(fā)光二極管芯片102是以九宮格的矩陣排列方式固定并導電連接于封裝基板101之上。其中位于中央位置安設的是藍色發(fā)光二極管芯片B,鄰接于藍色發(fā)光二極管芯片B四周的位置,設置綠色發(fā)光二極管芯片G。其余的位置則以紅色發(fā)光二極管芯片R來填滿。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個單個半導體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內的相同類型的器件,例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個不同大組內的類型的器件,例如構成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個同一大組的不同小組內的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨容器的器件





