[實用新型]應(yīng)用于平板電器的單塊濺射靶組件及使用其的濺射裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200720176817.X
• 申請日: 2007-09-12
• 公開（公告）號: CN201154985Y
• 公開（公告）日: 2008-11-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 布拉德利·O·斯廷森;細(xì)川昭弘;稻川真
• 申請（專利權(quán)）人: 應(yīng)用材料股份有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/14
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 徐金國;梁揮

1、一種濺射靶組件，其特征在于，所述濺射靶組件包括：

單塊體，包括濺射靶和靶托；以及

埋到單塊體中的一個或多個冷卻通道。

2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的靶組件，其特征在于，單塊體包含鋁。

3、根據(jù)權(quán)利要求2所述的靶組件，其特征在于，單塊體包含鋁和鈮。

4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的靶組件，其特征在于，還包含：

刻到單塊體中的通道，該通道刻在相鄰冷卻通道之間的空間。

5、根據(jù)權(quán)利要求1所述的靶組件，其特征在于，所述單塊體形狀為使得 靶組件的邊緣部分比中間部分薄。

6、根據(jù)權(quán)利要求1所述的靶組件，其特征在于，單塊體具有大于約1平 方米的面積。

7、一種濺射裝置，其特征在于，所述濺射裝置包括：

真空腔；

基座；

設(shè)置真空腔中的濺射靶組件，該濺射靶組件包括：

單塊體，包括濺射靶和靶托；以及

埋到單塊體中的一個或多個冷卻通道；以及

一個或多個陽極，在基座和濺射靶組件之間的區(qū)域橫跨真空腔延伸。

8、根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，單塊體包含鋁。

9、根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于，單塊體包含鋁和鈮。

10、根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，還包含：

刻到單塊體中的通道，該通道刻在相鄰冷卻通道之間的空間。

11、根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，單塊體的形狀為使得靶組 件的邊緣部分比中間部分薄。

12、根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，真空腔包含多個腔壁，單 塊體設(shè)置在至少一個腔壁的至少一部分上。

13、根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，單塊體具有大于約1平方 米的面積。

14、一種濺射靶組件，其特征在于，所述濺射靶組件包含：

濺射靶；

靶托；以及

埋到單塊體中的一個或多個冷卻通道，其中，在濺射靶和靶托之間沒有粘 接層。

15、根據(jù)權(quán)利要求14所述的靶組件，其特征在于，濺射靶和靶托每個都 包含鋁。

16、根據(jù)權(quán)利要求14所述的靶組件，其特征在于，濺射靶和靶托每個都 包含鋁和鈮。

17、根據(jù)權(quán)利要求14所述的靶組件，其特征在于，單塊體具有大于約1 平方米的面積。

18、一種濺射裝置，其特征在于，所述濺射裝置包含：

真空腔；

基座；

位于真空腔的濺射靶組件，濺射靶組件包括：

濺射靶；

靶托；以及

埋到單塊體中的一個或多個冷卻通道，其中在濺射靶和靶托之間沒 有粘接層；以及

一個或多個陽極，在基座和濺射靶組件之間的區(qū)域橫跨真空腔延伸。

19、根據(jù)權(quán)利要求18所述的裝置，其特征在于，濺射靶和靶托每個都包 含鋁。

20、根據(jù)權(quán)利要求19所述的裝置，其特征在于，濺射靶和靶托各自都包 含鋁和鈮。

21、根據(jù)權(quán)利要求18所述的裝置，其特征在于，真空腔包含多個腔壁， 濺射靶放置在至少一個腔壁的至少一部分中。

22、根據(jù)權(quán)利要求18所述的裝置，其特征在于，單塊體具有大于約1平 方米的面積。