[實用新型]一種改進的手機無效
| 申請號: | 200720154121.7 | 申請日: | 2007-05-18 |
| 公開(公告)號: | CN201039146Y | 公開(公告)日: | 2008-03-19 |
| 發明(設計)人: | 杜小鵬;包旻斐;王曉平;周尹;李春光;吳春峰;閆峰;楊廣明 | 申請(專利權)人: | 深圳市聯合同創科技有限公司 |
| 主分類號: | H04B1/40 | 分類號: | H04B1/40;H04Q7/32 |
| 代理公司: | 北京金之橋知識產權代理有限公司 | 代理人: | 林建軍 |
| 地址: | 518040廣東省深圳市福田區深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 改進 手機 | ||
1.一種改進的手機,包括手機殼體(1)和位于所述殼體(1)內部的主板、鍵盤、顯示屏和電池,所述主板上設有SIM卡座、控制電路和基帶處理芯片,SIM卡位于所述SIM卡座內,所述SIM卡座與所述基帶處理芯片連接,所述控制電路與所述電池和所述SIM卡座連接,其特征在于:所述主板上設置至少兩個存儲卡座,存儲卡位于所述存儲卡座內,所述存儲卡座均可通過存儲模擬控制開關(6)與所述基帶處理芯片連接。
2.根據權利要求1所述的改進的手機,其特征在于:所述主板上至少設有兩個SIM卡座,所述各SIM卡座通過SIM卡模擬開關(7)與所述基帶處理芯片可選擇地連接。
3.根據權利要求1或2所述的改進的手機,其特征在于:所述存儲模擬控制開關(6)端部的MCCMD控制線與所述基帶處理芯片連接,所述存儲模擬控制開關(6)端部的MCCMD1控制線與所述第一存儲卡座(4)連接,所述存儲模擬控制開關(6)端部的MCCMD2控制線與所述第二存儲卡座(5)連接,所述存儲模擬控制開關(6)通過存儲卡控制線控制所述MCCMD控制線與所述MCCMD1控制線連接或者是所述MCCMD控制線與所述MCCMD1控制線連接。
4.根據權利要求3所述的改進的手機,其特征在于:所述存儲卡控制線處于高電位,所述MCCMD控制線與所述MCCMD1控制線連接,所述第一存儲卡座(4)與所述基帶處理芯片連接導通。
5.根據權利要求3所述的改進的手機,其特征在于:所述存儲卡控制線處于低電位,所述MCCMD控制線與所述MCCMD2控制線連接,所述第二存儲卡座(5)與所述基帶處理芯片連接導通。
6.根據權利要求3所述的改進的手機,其特征在于:所述基帶處理芯片與手機內存連接。
7.根據權利要求2所述的改進的手機,其特征在于:所述SIM卡模擬開關(7)的NO接口與所述第一SIM卡座(2)的GND接口連接,所述SIM卡模擬開關(7)的NC接口與所述第二SIM卡座(3)的GND接口連接,所述SIM卡模擬開關(7)通過SIM卡控制線控制所述第一SIM卡座(2)與所述基帶處理芯片之間導通或所述第二卡座(3)與所述基帶處理芯片之間導通。
8.根據權利要求7所述的改進的手機,其特征在于:所述SIM卡控制線處于高電位,所述SIM卡模擬開關(7)的NO接口與所述第一SIM卡座(2)的GND接口連接,所述第一SIM卡座(2)與所述基帶處理芯片之間導通。
9.根據權利要求7所述的改進的手機,其特征在于:所述SIM卡控制線處于低電位,所述SIM卡模擬開關(7)的NC接口與所述第二SIM卡座(3)的GND接口連接,所述第二SIM卡(3)與所述基帶處理芯片之間導通。
10.根據權利要求2所述的改進的手機,其特征在于:所述兩個SIM卡座與所述兩個存儲卡座對稱設置。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于深圳市聯合同創科技有限公司,未經深圳市聯合同創科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200720154121.7/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:整體式B+插座裝配結構
- 下一篇:改性蘆葦制造中密度纖維板的工藝方法





