[實用新型]模組式低壓無功動態(tài)補償裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200720119091.6
• 申請日: 2007-03-21
• 公開（公告）號: CN201038782Y
• 公開（公告）日: 2008-03-19
• 發(fā)明（設計）人: 胡波
• 申請（專利權）人: 深圳市恒力電源設備有限公司胡波
• 主分類號: H02J3/18
• 分類號: H02J3/18
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利代理有限公司
• 代理人: 滿群

1.一種模組式低壓無功動態(tài)補償裝置，接入三相輸入端，其特征在于：所述的模組式低壓無功動態(tài)補償裝置包括功率因數(shù)控制器和由內(nèi)置熔斷器的隔離開關、內(nèi)置可控硅的智能電容投切開關、電抗器和電容器依次串聯(lián)組成的模組，所述模組有3～9組。

2.根據(jù)權利要求1所述的模組式低壓無功動態(tài)補償裝置，其特征在于：所述模組容量為10Kvar～60Kvar時，將三組電容器組與三個電抗器分別串聯(lián)后，并聯(lián)在三相三線的任兩線之間，再將兩個投切元件分別串聯(lián)在任兩線上，然后在每條線上串聯(lián)一個熔斷器，可控硅在線內(nèi)。

3.根據(jù)權利要求1所述的模組式低壓無功動態(tài)補償裝置，其特征在于：所述模組容量為70Kvar～90Kvar時，將三個投切元件、三個電抗器與三組電容器組分別順序串聯(lián)后，并聯(lián)在三相三線的任兩線之間，再在每條線上串聯(lián)一個熔斷器，可控硅在相內(nèi)。

4.根據(jù)權利要求1所述的模組式低壓無功動態(tài)補償裝置，其特征在于：所述投切元件是可控硅開關。

5.根據(jù)權利要求1所述的模組式低壓無功動態(tài)補償裝置，其特征在于：所述電抗器是抗諧振電抗器。

6.根據(jù)權利要求1所述的模組式低壓無功動態(tài)補償裝置，其特征在于：所述熔斷器是開關式熔斷器。