[實用新型]具有較佳音效的硅傳聲器無效
| 申請號: | 200720058040.7 | 申請日: | 2007-10-09 |
| 公開(公告)號: | CN201114762Y | 公開(公告)日: | 2008-09-10 |
| 發明(設計)人: | 溫增豐;鄭虎鳴;賀志堅 | 申請(專利權)人: | 東莞泉聲電子有限公司 |
| 主分類號: | H04R19/01 | 分類號: | H04R19/01;H04R19/04 |
| 代理公司: | 廈門市新華專利商標代理有限公司 | 代理人: | 彭長久 |
| 地址: | 523290廣東省東莞市石*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 佳音 傳聲器 | ||
技術領域
本實用新型涉及傳聲器領域技術,尤其是指一種具有較佳音效的硅傳聲器。
背景技術
隨著當今科技的迅速發展,在傳聲器領域技術也取得了長足的進步,之前大家使用最多的駐極體電容傳聲器(ECM)將被一種新的硅傳聲器取而代之,運用微機電系統(Microelectromechanicalsystems;MEMS)工藝所制成的硅傳聲器與傳統之駐極體傳聲器(ECM)相比,其主要優勢在于:可大量效率性生產;容易與其它功效的微電路整合;容易實現數字化;耐熱性強,能承受260℃的高溫回流焊接;質量一致且穩定性高,在不同溫度的性能都十分穩定,不會受溫度、振動、濕度及時間的影響;體積小,適合用在短小輕薄的應用設計中等等。
現有硅傳聲器的結構主要由外殼和線路板等部件組成,線路板上焊接有電容、硅膜單元及芯片等電器元件,聲孔設置于外殼上或線路板上。然而,參照圖1聲孔1設置于外殼上時,傳統之硅膜單元2音腔的下方為封閉結構,因此硅膜單元之音腔的空間太小,以至使硅傳聲器的音效品質受到限制。
實用新型內容
本實用新型針對現有技術存在之缺陷,主要目的是提供一種硅傳聲器,其在硅膜之音腔的下方增設一空腔結構,從而有效改善產品之音效品質。
為達到上述目的,本實用新型采用如下之技術方案:
一種具有較佳音效的硅傳聲器,包括外殼、第一線路板以及第二線路板,該外殼與第一線路板相配合且形成第一空腔,在外殼上開設有一聲孔,該聲孔連通第一空腔內外;該第一線路板上設有硅膜單元,且在第一線路板上對應該硅膜單元所處的位置下方開設有一通孔,上述硅膜單元位于第一空腔內;該第二線路板疊于第一線路板上,且與第一線路板之間形成第二空腔,該第二空腔與上述通孔相連通。
上述第一線路板上設有一與第二線路板形成上述第二空腔的凹位。
上述第二線路板上設有一與第一線路板形成上述第二空腔的凹位。
上述第一線路和第二線路板上各設有一可相互配合形成上述第二空腔的凹位。
本實用新型與現有技術相比,其有益效果在于兩線路板組合形成一具有較大空間的第二空腔結構,此第二空腔結構通過第一線路板上的通孔與硅膜單元的音腔下方連通,從而在硅膜單元的音腔下方形成一密閉之較大空間,有效地提高硅傳聲器的音效品質。另外,本實用新型之空腔結構由兩片線路板層疊組配而成,結構簡單,加工方便。
附圖說明
圖1為一現有技術之硅傳聲器具體結構;
圖2為本實用新型之分解示意圖;
圖3為本實用新型之組配立體示意圖;
圖4為本實用新型之剖面視圖。
附圖標識說明:
1、聲孔????????????2、硅膜單元
10、外殼???????????11、聲孔
20、第一線路板?????21、凹位
22、通孔???????????23、硅膜單元
30、第二線路板?????40、第一空腔
50、第二空腔
具體實施方式
下面結合附圖與具體實施例對本實用新型作進一步說明:
參照圖2至圖4示出了本實用一實施例的具體結構,包括一方形內凹的外殼10、第一線路板20和第二線路板30,
其中,外殼10固定于第一線路板20的下表面,與第一線路板20形成第一空腔40,外殼10上設有一聲孔11,外殼10與第一線路板20之間可采用導電膠、焊料焊接或回流焊接等固接方式,以實現電路連接和密封連接,達到抗高頻干擾和密封的效果,外殼10是金屬材料或表面鍍有金屬的其它材料。
第二線路板30層疊于第一線路板20的上表面,第一線路板20上表面設有一方形凹位2,此凹位21與第二線路板30組合形成第二空腔50。
第一線路板20下表面上固設有硅膜單元23等電器元件,硅膜單元23位于第一空腔內,第一線路板20上對應于硅膜單元23的音腔下方處設有通孔22,該通孔22將硅膜單元23下方的音腔與前述第二空腔50有效連通。
本實用新型的重點在于通過兩線路板組合形成一較大空間的第二空腔結構50,此第二空腔結構50通過通孔22與硅膜單元23的音腔下方連通,從而在硅膜單元23的音腔下方形成一密閉之較大空間,有效地提高硅傳聲器的音效品質。另外,本實用新型之第二空腔結構50由兩片線路板層疊組配而成,結構簡單,加工方便。
以上所述,僅是本實用新型一種具有較佳音效的硅傳聲器的較佳實施例而已,并非對本實用新型的技術范圍作任何限制,例如第二空腔50的形成還可通過將凹位21設于第二線路板30的下表面的方式,或是在第一線路板20和第二線路板30上均設置凹位21的組合方式。故凡是依據本實用新型的技術實質對以上實施例所作的任何細微修改、等同變化與修飾,均仍屬于本實用新型技術方案的范圍內。
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