[發(fā)明專利]可熱處理的磁控濺射方法制備的低輻射鍍膜玻璃有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710097527.0 | 申請日： | 2007-04-26 |
| 公開（公告）號： | CN101058486A | 公開（公告）日： | 2007-10-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王爍;徐伯永 | 申請（專利權(quán)）人： | 天津南玻工程玻璃有限公司 |
| 主分類號： | C03C17/34 | 分類號： | C03C17/34;C03C17/23 |
| 代理公司： | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人： | 李帆 |
| 地址： | 30170*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 熱處理 磁控濺射 方法 制備 輻射 鍍膜 玻璃 | ||
1.一種鍍膜玻璃，該鍍膜玻璃按如下順序包括：
1)玻璃基片；
2)在玻璃基片上的第一基層電介質(zhì)層，所述第一基層電介質(zhì)層為ZnSnO3；
3)在第一基層電介質(zhì)層上的第二基層電介質(zhì)層，所述第二基層電介質(zhì)層為TiO2；
4)在第二基層電介質(zhì)層上的第一保護(hù)阻隔層，所述第一保護(hù)阻隔層為鎳鉻合金層，其組成為NiCr；
5)在第一保護(hù)阻隔層上的銀層；
6)在銀層上的第二保護(hù)阻隔層，所述第二保護(hù)阻隔層為鎳鉻合金，其組成為NiCr；
7)在第二保護(hù)阻隔層上的第一外層電介質(zhì)層，所述第一外層電介質(zhì)層為SnZnO3；
8)在第一外層電介質(zhì)層上的第二外層電介質(zhì)層，所述第二外層電介質(zhì)層為SiO2；
9)在第二外層電介質(zhì)層上的保護(hù)阻擋層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的鍍膜玻璃，其中第一基層電介質(zhì)層的厚度為10-35nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的鍍膜玻璃，其中第一基層電介質(zhì)層的厚度為15-30nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的鍍膜玻璃，其中第一基層電介質(zhì)層的厚度為20-25nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的鍍膜玻璃，其中第二基層電介質(zhì)層的厚度為5-30nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的鍍膜玻璃，其中第二基層電介質(zhì)層的厚度為10-25nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的鍍膜玻璃，其中第二基層電介質(zhì)層的厚度為15-20nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的鍍膜玻璃，其中第一保護(hù)阻隔層的厚度為1-5nm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的鍍膜玻璃，其中第一保護(hù)阻隔層的厚度為2-3nm。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的鍍膜玻璃，其中銀層的厚度為8-14nm。
11.根據(jù)權(quán)利要求1的鍍膜玻璃，其中銀層的厚度為10-12nm。
12.根據(jù)權(quán)利要求1的鍍膜玻璃，其中第二保護(hù)阻隔層的厚度為2-6nm。
13.根據(jù)權(quán)利要求1的鍍膜玻璃，其中第二保護(hù)阻隔層的厚度為3-5nm。
14.根據(jù)權(quán)利要求1的鍍膜玻璃，其中第一外層電介質(zhì)層的厚度為10-35nm。
15.根據(jù)權(quán)利要求1的鍍膜玻璃，其中第一外層電介質(zhì)層的厚度為15-30nm。
16.根據(jù)權(quán)利要求1的鍍膜玻璃，其中第一外層電介質(zhì)層的厚度為20-25nm。
17.根據(jù)權(quán)利要求1的鍍膜玻璃，其中第二外層電介質(zhì)層的厚度為5-20nm。
18.根據(jù)權(quán)利要求1的鍍膜玻璃，其中第二外層電介質(zhì)層的厚度為10-15nm。
19.根據(jù)權(quán)利要求1的鍍膜玻璃，其中保護(hù)阻擋層為Si3N4，且該保護(hù)阻擋層的厚度為5-35nm。
20.根據(jù)權(quán)利要求1的鍍膜玻璃，其中保護(hù)阻擋層為Si3N4，且該保護(hù)阻擋層的厚度為10-30nm。
21.根據(jù)權(quán)利要求1的鍍膜玻璃，其中保護(hù)阻擋層為Si3N4，且該保護(hù)阻擋層的厚度為15-25nm。
22.制造如權(quán)利要求1所述的鍍膜玻璃的方法，該方法按所述順序包括如下步驟：
1)提供玻璃基片；
2)在玻璃基片上沉積第一基層電介質(zhì)層，所述第一基層電介質(zhì)層為ZnSnO3；
3)在第一基層電介質(zhì)層上沉積第二基層電介質(zhì)層，所述第二基層電介質(zhì)層為TiO2；
4)在第二基層電介質(zhì)層上沉積第一保護(hù)阻隔層，所述第一保護(hù)阻隔層為鎳鉻合金層，其組成為NiCr；
5)在第一保護(hù)阻隔層上沉積銀層；
6)在銀層上沉積第二保護(hù)阻隔層，所述第二保護(hù)阻隔層為鎳鉻合金，其組成為NiCr；
7)在第二保護(hù)阻隔層上沉積第一外層電介質(zhì)層，所述第一外層電介質(zhì)層為SnZnO3；
8)在第一外層電介質(zhì)層上沉積第二外層電介質(zhì)層，所述第二外層電介質(zhì)層為SiO2；
9)在第二外層電介質(zhì)層上沉積保護(hù)阻擋層。
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