[發明專利]納米級黃銅礦結構粉體及高分子薄膜太陽能電池的制造方法無效
| 申請號: | 200710306625.0 | 申請日: | 2007-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN101468398A | 公開(公告)日: | 2009-07-01 |
| 發明(設計)人: | 黃瑜;黃炳照;王炫富;吳致中;張士浤 | 申請(專利權)人: | 財團法人工業技術研究院 |
| 主分類號: | B22F9/30 | 分類號: | B22F9/30;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 | 代理人: | 封新琴 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 納米 黃銅礦 結構 高分子 薄膜 太陽能電池 制造 方法 | ||
1.一種納米級黃銅礦結構粉體的制造方法,包括:
提供混合溶液,其包含化學元素周期表的IB、IIIA、VIA族元素及上述組成元素的任意組合的溶液;
以微波源加熱該混合溶液;
以洗滌劑洗滌并過濾該混合溶液;以及
干燥該混合溶液以獲得納米級黃銅礦結構粉體。
2.如權利要求1所述的納米級黃銅礦結構粉體的制造方法,其中該混合溶液的溶劑包括水、醇類、苯、胺類、吡啶、氧化三辛基膦,及其它有機或無機溶劑。
3.如權利要求1所述的納米級黃銅礦結構粉體的制造方法,其中該IB族元素包括銅。
4.如權利要求1所述的納米級黃銅礦結構粉體的制造方法,其中該IIIA族元素包括鎵和銦。
5.如權利要求1所述的納米級黃銅礦結構粉體的制造方法,其中該VIA族元素包括硒和硫。
6.如權利要求1所述的納米級黃銅礦結構粉體的制造方法,其中該微波源的輸出功率范圍為1瓦至3000瓦。
7.如權利要求1所述的納米級黃銅礦結構粉體的制造方法,其中以該微波源加熱的溫度范圍為10℃至500℃。
8.如權利要求1所述的納米級黃銅礦結構粉體的制造方法,其中以該微波源加熱的時間為1分鐘至10小時。
9.如權利要求1所述的納米級黃銅礦結構粉體的制造方法,其中該洗滌劑包括去離子水或乙醇。
10.如權利要求1所述的納米級黃銅礦結構粉體的制造方法,其中該干燥該混合溶液步驟是在真空高溫烘箱中干燥,其溫度范圍為30℃至100℃,且保持溫度的時間為1小時至100小時。
11.一種高分子薄膜太陽能電池的制造方法,包括:
提供混合溶液,其包含化學元素周期表的IB、IIIA、VIA族元素及上述組成元素的任意組合的溶液;
以微波源加熱該混合溶液;
以洗滌劑洗滌并過濾該混合溶液;
干燥該混合溶液以獲得納米級黃銅礦結構粉體;
混合該黃銅礦結構納米粒子,直接成膜或加入粘合劑與分散劑后成膜;以及
加入導電高分子,此導電高分子可以以混合或涂布方式加入,由此形成pn界面,以構成高分子薄膜太陽能電池。
12.如權利要求11所述的高分子薄膜太陽能電池的制造方法,其中該混合溶液的溶劑包括水、醇類、苯、胺類、吡啶、氧化三辛基膦,及其它有機或無機溶劑。
13.如權利要求11所述的高分子薄膜太陽能電池的制造方法,其中該IB族元素包括銅。
14.如權利要求11所述的高分子薄膜太陽能電池的制造方法,其中該IIIA族元素包括鎵和銦。
15.如權利要求11所述的高分子薄膜太陽能電池的制造方法,其中該VIA族元素包括硒和硫。
16.如權利要求11所述的高分子薄膜太陽能電池的制造方法,其中該微波源的輸出功率范圍為1瓦至3000瓦。
17.如權利要求11所述的高分子薄膜太陽能電池的制造方法,其中以該微波源加熱的溫度范圍為10℃至500℃。
18.如權利要求11所述的高分子薄膜太陽能電池的制造方法,其中以該微波源加熱的時間為1分鐘至10小時。
19.如權利要求11所述的高分子薄膜太陽能電池的制造方法,其中該洗滌劑包括去離子水或乙醇。
20.如權利要求11所述的高分子薄膜太陽能電池的制造方法,其中該干燥該混合溶液步驟是在在真空高溫烘箱中干燥,其溫度范圍為30℃至100℃,且保持溫度的時間為1小時至100小時。
21.如權利要求11所述的高分子薄膜太陽能電池的制造方法,其中該導電高分子包括聚(3,4-亞乙基二氧噻吩)PEDOT、聚噻吩、聚吡咯或聚苯胺。
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