[發明專利]CMOS圖像傳感器以及其制造方法

無效

• 申請號: 200710306355.3
• 申請日: 2007-12-28
• 公開（公告）號: CN101211954A
• 公開（公告）日: 2008-07-02
• 發明（設計）人: 金兌圭
• 申請（專利權）人: 東部高科股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L21/822;H01L21/762
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司
• 代理人: 徐金國

1.一種裝置，包括：

P-型外延層，其具有限定于其中的光電二極管區、有源區和器件隔離區，所述P-型外延層形成于半導體襯底上方；

形成于所述器件隔離區中的器件隔離膜；

形成于所述器件隔離膜中的電極。

2.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，形成的所述電極具有對應于所述器件隔離膜深度的大約1/2和2/3之間的深度。

3.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述電極由導電材料形成。

4.根據權利要求3所述的裝置，其特征在于，所述電極由金屬形成。

5.根據權利要求3所述的裝置，其特征在于，所述電極由多晶硅形成。

6.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，包括連接到所述電極的觸點。

7.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，將反向偏置施加到連接到所述電極的所述觸點，以增加浮置擴散區和所述光電二極管區之間的電壓差，以使所述光電二極管區中的電子移動通過所述浮置擴散區以實施復位工藝。

8.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，將反向偏置施加到連接到所述電極的觸點，以防止所述器件隔離膜的界面中發生的泄漏電流與圖像信號混合。

9.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，包括：

柵極絕緣膜，其形成于所述P-型外延層上方；以及

柵極，其形成于所述柵極絕緣層上方。

10.根據權利要求9所述的裝置，其特征在于，包括在所述柵極的側壁上方形成的間隔墊。

11.一種方法，其包括：

使用外延工藝在半導體襯底上方形成外延層，其限定光電二極管區、有源區和器件隔離區；

使用淺溝槽隔離工藝在所述外延層的所述器件隔離區中形成器件隔離膜；

形成光刻膠圖案，其用于在所述器件隔離膜的中心部分形成開口；

使用用所述光刻膠圖案的反應離子蝕刻方法在所述器件隔離膜中形成接觸孔；以及

通過用導電材料填充所述接觸孔形成電極。

12.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，所述導電材料是金屬。

13.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，所述導電材料是多晶硅。

14.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，包括在所述外延層上方形成柵極絕緣膜。

15.根據權利要求14所述的方法，其特征在于，包括在所述柵極絕緣膜上方形成柵極。

16.根據權利要求15所述的方法，其特征在于，包括在所述柵極側壁上方形成間隔墊。

17.根據權利要求16所述的方法，其特征在于，包括在所述器件隔離膜和所述柵極上方形成層間絕緣膜。

18.根據權利要求17所述的方法，其特征在于，包括在所述層間絕緣膜中形成電連接到所述電極的觸點。

19.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，形成所述器件隔離膜的所述接觸孔的深度為對應于器件隔離膜厚度的大約1/2和2/3之間。

20.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，包括進行回蝕刻工藝以平坦化所述導電材料。