[發明專利]制造印刷電路板用漿料凸塊的方法

無效

• 申請號: 200710306085.6
• 申請日: 2007-12-28
• 公開（公告）號: CN101325843A
• 公開（公告）日: 2008-12-17
• 發明（設計）人: 睦智秀;樸俊炯;金起換;金成容;樸象鉉
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H05K3/12
• 分類號: H05K3/12
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 章社杲;尚志峰

相關申請的交叉參考

本申請要求于2007年6月12日提交的題為“Fabricating?methodofpaste?bump?for?printed?circuit?board”的第10-2007-0057370號韓國專利申請的優先權，其全部內容結合于此作為參考。

技術領域

本發明通常涉及一種制造印刷電路板(PCB)用漿料凸塊(pastebump)的方法，更具體地，涉及一種能夠減少印刷次數以在PCB上形成漿料凸塊的過程中降低制造成本和處理時間的制造PCB用漿料凸塊的方法。

背景技術

隨著電子部件的發展，為了實現高密度的PCB，需要用于改進應用微電路布線和電路圖案的層間電連接的HDI(高密度互連)襯底的性能的技術。具體地，改進HDI襯底的性能需要用于保證電路圖案的層間電連接及其設計自由度的技術。

通常，通過添加方法或去除方法在核心襯底(例如，覆銅箔層壓板(CCL))的表面上形成內部電路、順序地堆積(build?up)絕緣層和電路層、以及通過與用于形成內部電路的方法相同的方法形成外部電路，來制造多層PCB。

然而，這種制造多層PCB的傳統工藝并不能滿足由于其應用產品(包括移動電話)的價格降低而降低成本、以及減少交付周期(lead-time)以提高生產量的需要，因此需要一種能夠解決這些問題的新的制造工藝。

為了簡化現有技術的復雜工藝以及利用組合層壓(collectivelamination)過程快速且廉價地制造多層PCB，已使所謂的B2it(埋入凸塊互連技術)商業化，其能夠通過將導電漿料印刷在銅箔上以形成凸塊、以及將絕緣元件層壓在該凸塊上以預制漿料凸塊板來進行簡單且方便的層壓。

圖1是示出了根據傳統技術制造PCB用漿料凸塊的工藝流程圖，以及圖2是示出了根據傳統技術使用如圖1所示的制造PCB用漿料凸塊的工藝形成的漿料凸塊的形狀視圖。

參考圖1和圖2，準備將在其上形成漿料凸塊200的基板100，在此之后，將具有孔的掩膜置于基板100的將在其處形成漿料凸塊200的部分上。

接下來，將導電漿料涂覆在掩膜上，然后使用刮板(squeegee)對其進行按壓，以使掩膜中的孔填充有導電漿料(S100)。

同樣地，通過按壓刮板使導電漿料粘住基板。

接著，使印刷在基板100上的導電漿料變干(S200)。

因此，如圖2所示，形成了具有第一高度h1的漿料凸塊200。

由于導電漿料具有高粘性和低TI，所以在對導電漿料進行一次印刷之后重復印刷導電漿料并使其變干的過程4～5次，從而形成具有預定高度H的漿料凸塊200。

為了通過根據傳統技術制造PCB用漿料凸塊的方法來形成具有期望高度H的漿料凸塊200，多次重復印刷具有高粘性和低TI的導電漿料并使其變干的過程，因此，增加了形成PCB用漿料凸塊所需的處理時間，從而不期望地降低了生產率。

此外，由于多次重復印刷導電漿料并使其變干的過程，所以在印刷導電漿料時必須按壓導電漿料(大量的導電漿料被置于掩膜中的孔中)，從而不期望地增加了形成PCB用漿料凸塊所需的制造成本。

發明內容

因此，本發明提供了一種制造PCB用漿料凸塊的方法，其可以減少印刷次數，以降低在PCB上形成漿料凸塊所需的制造成本和處理時間。

根據本發明，制造PCB用漿料凸塊的方法可以包括：a)準備基板；b)將導電漿料印刷在基板上并使其變干，從而形成第一漿料凸塊；c)通過壓印(coining)來平坦化第一漿料凸塊的上表面；以及d)將導電漿料印刷在第一漿料凸塊上并使其變干，從而形成第二漿料凸塊。

在根據本發明制造漿料凸塊的方法中，b)可以包括b-1)將具有第一尺寸的孔的第一掩膜置于基板上；b-2)將導電漿料涂覆在第一掩膜上，并使用刮板按壓導電漿料；b-3)用導電漿料填充第一掩膜中具有第一尺寸的孔，并使導電漿料的底部粘住基板；以及b-4)去除第一掩膜并使導電漿料變干，從而形成第一漿料凸塊。

在根據本發明制造漿料凸塊的方法中，d)可以包括d-1)將具有第二尺寸的孔的第二掩膜置于第一漿料凸塊上；d-2)將導電漿料涂覆在第二掩膜上，并使用刮板按壓導電漿料；d-3)用導電漿料填充第二掩膜中具有第二尺寸的孔，并使導電漿料的底部粘住第一漿料凸塊的上表面；以及d-4)去除第二掩膜，并使導電漿料變干，從而形成第二漿料凸塊。

在根據本發明制造漿料凸塊的方法中，第二掩膜中的孔可以具有小于或等于第一掩膜中的孔的尺寸。