[發明專利]一種近晶態液晶顯示裝置

有效

• 申請號: 200710304410.5
• 申請日: 2007-12-27
• 公開（公告）號: CN101470286A
• 公開（公告）日: 2009-07-01
• 發明（設計）人: 孫剛
• 申請（專利權）人: 漢朗科技（北京）有限責任公司
• 主分類號: G02F1/133
• 分類號: G02F1/133;G09G3/36;C09K19/40;C09K19/12
• 代理公司: 北京北新智誠知識產權代理有限公司
• 代理人: 張衛華

1.一種近晶態液晶顯示裝置，其特征在于：它包括近晶態液晶顯示屏、驅動控 制裝置、蓄電池和太陽能接收裝置，該近晶態液晶顯示屏、驅動控制裝置、蓄電池、 太陽能接收裝置依次相連，其中：

該近晶態液晶顯示屏包括第一基體層和第二基體層，在該第一基體層與第二基 體層的中間設有一混合層，該混合層由近晶態液晶和添加物混合而成，該近晶態液 晶為帶硅基的A類近晶態液晶有機化合物、四氰基四辛基聯苯或四乙酸癸酯四氰基 聯苯中的任一種，該添加物為十六烷基三乙基溴化銨，在第一基體層朝向混合層的 一側設有第一導電電極層，在第二基體層朝向混合層的一側設有第二導電電極層， 第一導電電極層由M個平行排列的條狀電極組成，第二導電電極層由N個平行排列 的條狀電極組成，第一導電電極層的M個條狀電極與第二導電電極層的N個條狀電 極相垂直，以使該第一與第二導電電極層形成一M×N的像素點陣列，該第一和第 二導電電極層與驅動控制裝置相連；

該太陽能接收裝置為至少一個太陽能電池板。

2.根據權利要求1所述的近晶態液晶顯示裝置，其特征在于：

所述第一基體層和第二基體層均為玻璃，或者所述第一基體層和第二基體層均 為塑料，或者第一基體層和第二基體層中的一個為玻璃，另一個為塑料。

3.根據權利要求1所述的近晶態液晶顯示裝置，其特征在于：

所述混合層的厚度為2微米～30微米，所述混合層的組成為：所述近晶態液晶 占混合總重量的90％～99.999％，所述添加物占混合總重量的0.001％～10％。

4.根據權利要求1所述的近晶態液晶顯示裝置，其特征在于：

所述太陽能接收裝置貼合于所述近晶態液晶顯示屏的一側上。

5.根據權利要求1所述的近晶態液晶顯示裝置，其特征在于：

所述混合層還混合有二色性染料。

6.根據權利要求1所述的近晶態液晶顯示裝置，其特征在于：

所述驅動控制裝置內設有驅動控制電路，該驅動控制電路包括控制模塊、M個 R波生成模塊和N個D波生成模塊，其中：

R波生成模塊包括第一正電平變換單元、第一負電平變換單元、第一正向信號 生成單元、第一負向信號生成單元和第一信號合成單元，該第一正向信號生成單元 經第一正電平變換單元與控制模塊連接，該第一負向信號生成單元經第一負電平變 換單元與控制模塊連接，該第一正向信號生成單元和第一負向信號生成單元與第一 信號合成單元連接，該第一信號合成單元與所述第一導電電極層的一個條狀電極連 接；

D波生成模塊包括第二正電平變換單元、第二負電平變換單元、第二正向信號 生成單元、第二負向信號生成單元、正幅值控制單元、負幅值控制單元和第二信號 合成單元，該第二正向信號生成單元經第二正電平變換單元與控制模塊連接，該第 二負向信號生成單元經第二負電平變換單元與控制模塊連接，正、負幅值控制單元 分別與第二正向信號生成單元、第二負向信號生成單元連接，該第二正向信號生成 單元和第二負向信號生成單元與第二信號合成單元連接，該第二信號合成單元與所 述第二導電電極層的一個條狀電極連接。

7.根據權利要求6所述的近晶態液晶顯示裝置，其特征在于：

所述第一正電平變換單元包括一CMOS反相器，該CMOS反相器的輸入端經一 電容與所述控制模塊上與其相對應的信號輸出端相連，所述第一正向信號生成單元 包括一高壓NMOS晶體管，該高壓NMOS晶體管的柵極與所述第一正電平變換單元 的CMOS反相器的輸出端相連，該高壓NMOS晶體管的漏極經一電容與所述第一信 號合成單元的一輸入端相連；

所述第一負電平變換單元包括一CMOS反相器，該CMOS反相器的輸入端經一 電容與所述控制模塊上與其相對應的信號輸出端相連，所述第一負向信號生成單元 包括一高壓PMOS晶體管，該高壓PMOS晶體管的柵極與所述第一負電平變換單元 的CMOS反相器的輸出端相連，該高壓PMOS晶體管的漏極經一電容與所述第一信 號合成單元的另一輸入端相連；

所述第二正電平變換單元包括一CMOS反相器，該CMOS反相器的輸入端經一 電容與所述控制模塊上與其相對應的信號輸出端相連，所述第二正向信號生成單元 包括一高壓NMOS晶體管，該高壓NMOS晶體管的柵極與所述第二正電平變換單元 的CMOS反相器的輸出端相連，該高壓NMOS晶體管的漏極分成兩路，一路經一電 阻與所述正幅值控制單元相連，另一路經一電容與所述第二信號合成單元的一輸入 端相連；

所述第二負電平變換單元包括一CMOS反相器，該CMOS反相器的輸入端經一 電容與所述控制模塊上與其相對應的信號輸出端相連，所述第二負向信號生成單元 包括一高壓PMOS晶體管，該高壓PMOS晶體管的柵極與所述第二負電平變換單元 的CMOS反相器的輸出端相連，該高壓PMOS晶體管的漏極分成兩路，一路經一電 阻與所述負幅值控制單元相連，另一路經一電容與所述第二信號合成單元的另一輸 入端相連。