[發明專利]具有用于背側接點的通孔的倒置變形太陽能電池

有效

• 申請號: 200710302234.1
• 申請日: 2007-12-20
• 公開（公告）號: CN101237007A
• 公開（公告）日: 2008-08-06
• 發明（設計）人: 保羅·R·夏普斯
• 申請（專利權）人: 昂科公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/042
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 孟銳

1.一種制造太陽能電池的方法，其包含：

提供第一襯底；

在所述襯底上沉積半導體材料層序列，所述層序列形成多結太陽能電池的至少一個電池；

從所述層序列的頂部表面向所述第一襯底蝕刻通孔；

在所述第二區域上方提供第二襯底；以及

移除所述第一襯底。

2.根據權利要求1所述的方法，其進一步包含在所述通孔的內側表面周圍沿圓周沉積介電材料層。

3.根據權利要求2所述的方法，其進一步包含在所述介電材料層上方沉積延伸通過所述通孔的傳導層。

4.根據權利要求3所述的方法，其進一步包含在所述太陽能電池的前表面上沉積電連接到所述傳導層的前金屬柵格。

5.根據權利要求4所述的方法，其進一步包含在所述太陽能電池的背表面上沉積第一和第二電極接觸墊，所述第一電極接觸墊電連接到所述傳導層。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述沉積半導體材料層序列的步驟包含：在所述襯底上形成具有第一帶隙的第一太陽能子電池；在所述第一子電池上方形成具有小于所述第一帶隙的第二帶隙的第二太陽能子電池；在所述第二子電池上方形成具有大于所述第二帶隙的第三帶隙的分級夾層；形成具有小于所述第二帶隙的第四帶隙的第三太陽能子電池，使得所述第三子電池相對于所述第二子電池晶格失配。

7.根據權利要求1所述的制造太陽能電池的方法，其中所述第一襯底由GaAs組成。

8.根據權利要求6所述的制造太陽能電池的方法，其中所述第一太陽能子電池由InGa(Al)P發射極區域和InGa(Al)P基極區域組成，且所述第二太陽能子電池由InGaP₂發射極區域和In_0.015GaAs基極區域組成。

9.根據權利要求6所述的制造太陽能電池的方法，其中所述分級夾層由具有單調增加的晶格常數的多個InGaAlAs層組成。

10.一種多結太陽能電池，其包含：

第一太陽能子電池，其具有第一帶隙；

第二太陽能子電池，其設置在所述第一子電池上方且具有小于所述第一帶隙的第二帶隙；

分級夾層，其設置在所述第二子電池上方且具有大于所述第二帶隙的第三帶隙；

第三太陽能子電池，其設置在所述夾層上方且相對于所述第二子電池晶格失配，并具有小于所述第三帶隙的第四帶隙；以及

到達所述太陽能電池的陽極接點和陰極接點，其設置在所述太陽能電池的表面上并鄰近于所述第三太陽能子電池。